SK海力士HBM4量产计划调整 - 公司已开始调整其第六代高带宽内存HBM4原定于明年全面量产的时间安排 [3] - 原计划从明年第二季度末开始大幅提升HBM4产量 但近期计划有所调整 [3][4] HBM4技术特点与初始计划 - HBM4是英伟达下一代AI加速器Rubin将采用的内存 预计明年发布 [3] - 与上一代产品相比 HBM4的输入/输出终端数量翻倍 达到2048个 [3] - 其最显著特点是控制HBM的逻辑芯片采用代工工艺量产 而非沿用现有DRAM工艺 [3] - 公司原计划于明年2月左右开始量产HBM4 并从第二季度末开始大幅提升产能 [3] - 该策略旨在迅速扩大产能 以便赶在英伟达正式完成HBM4质量测试之前交付产品 [3] - 为此公司已进行批量样品生产 据报道应英伟达要求已供应了2万至3万颗芯片 [3] 计划调整的具体内容 - HBM4的量产已推迟至明年3月或4月 [4] - HBM4产能大幅扩张的时间也进行了灵活调整 [4] - HBM4量产所需材料和零部件的采购速度将较以往有所放缓 [4] - 公司原计划从明年上半年开始逐步提高HBM4产量 并在第二季度末大幅提高其占比 [4] - 但公司现在决定至少在明年上半年之前 保持HBM3E在所有HBM产品中最高的产量占比 [4] 计划调整的背景与原因 - 在与英伟达讨论明年HBM产量时 公司大幅增加了HBM3E的产量 远超预期 [4] - 英伟达Rubin的发布计划推迟的可能性增加 [4] - 现有配备HBM3E的Blackwell芯片的强劲需求可能也产生了影响 [4] - 业内普遍担忧英伟达Rubin芯片的全面量产可能会延迟 [4] - 随着英伟达不断提升Rubin芯片性能 HBM4等技术的复杂性也随之增加 [4] - 台积电的2.5D封装技术"CoWoS"作为Rubin芯片生产的关键技术 仍然面临瓶颈 [4] - 公司表示计划灵活应对市场需求 [4]