台积电N2（2nm级）工艺量产启动 - 台积电已按计划于2025年第四季度开始量产其N2（2nm级）工艺芯片，但未发布正式新闻稿 [1] - N2是公司首个采用环栅纳米片晶体管（GAA）的工艺节点，并集成了超高性能金属-绝缘体-金属（SHPMIM）电容器以提升性能 [4] - 首席执行官魏成成表示N2量产进展顺利，良率良好，预计2026年产能爬坡将因智能手机和AI/HPC应用而加速 [5] N2工艺技术性能与优势 - 与N3E相比，N2在相同功耗下性能提升10%–15%，在相同性能下功耗降低25%–30% [3] - 对于混合设计（逻辑、模拟、SRAM），晶体管密度比N3E提高15%；对于纯逻辑设计，密度提高20% [3] - N2采用了第一代纳米片晶体管技术，实现了全节点的性能和功耗提升，其GAA结构改善了静电控制并降低了漏电 [1][4] - 集成的SHPMIM电容器电容密度是上一代设计的两倍以上，并将薄层电阻和过孔电阻降低了50% [4] 后续工艺路线图与产能规划 - 公司计划在2026年下半年量产N2的性能增强版N2P，与N2相比，N2P在相同性能下功耗进一步降低5%–10%，性能提升5%–10% [4][8] - 同样计划在2026年下半年量产A16工艺，A16采用超强电源轨（SPR）背面供电设计，专为复杂AI/HPC处理器打造，与N2P相比功耗降低15%–20%，性能提升8%–10% [4][8] - 公司已在台湾高雄附近的Fab 22工厂开始生产2nm芯片，并计划在Fab 20工厂稍晚开始量产 [5] - 同时启动两座具备N2工艺能力的晶圆厂建设，以满足合作伙伴需求，并为2026年底生产N2P和A16芯片做准备 [8]