文章核心观点 - AI算力需求飙升导致芯片功耗剧增，传统封装技术面临散热和物理极限瓶颈，而“先进封装+碳化硅(SiC)”技术组合被视为破局关键，正驱动全产业链发展，并带来显著的投资机会 [5][7][9][24] 算力需求与封装瓶颈 - AI大模型训练与数据中心算力需求呈指数级增长，预计2025年中国智能算力规模达1037.3 EFLOPS，2026年将再增长40% [7] - 芯片性能每提升1倍，功耗需翻3倍，传统硅中介层热导率仅148 W/m·K，无法有效散热，且CoWoS封装中硅中介层尺寸增大会导致分层开裂和良率下降 [7] - 英伟达H100芯片峰值功耗超700W，下一代Rubin处理器功耗将达1800W，预计2029年可能冲至6000W，凸显散热挑战的严峻性 [5] 先进封装成为解决方案 - 通过2.5D/3D堆叠、混合键合及SiC中介层替代等技术，先进封装可解决散热难题，并将芯片互连密度提升10倍以上 [9] - Yole预测，2030年全球先进封装市场规模将突破790亿美元，其中2.5D/3D封装市场增速高达37% [9] - 先进封装已从“半导体后道工序”升级为“算力核心载体”，是支撑AI、数据中心及智能驾驶的关键赛道 [24] 技术迭代：从2.5D到SiC材料革命 - 工艺上，3D封装采用混合键合技术，实现铜-铜直接连接，互连间距从20μm缩小至<10μm，信号延迟降低30%，台积电SoIC、英特尔Foveros等技术已落地，混合键合预计2026年进入规模化应用 [12] - 材料上，SiC是中介层的“最优解”，其热导率达490 W/m·K，是硅的3倍多，莫氏硬度达9.5，抗开裂能力强，并能通过高深宽比通孔设计优化布线密度，提升芯片传输速度20% [12][13] - 行业预计2027年将成为SiC中介层量产元年，以CoWoS市场35%的复合增速及70%的SiC替换率测算，2030年将需要超230万片12英寸SiC衬底，等效6英寸920万片，远超当前全球产能，缺口巨大 [14] 产业链受益环节：设备、材料、OSAT - OSAT（封测）：直接受益于先进封装需求，长电科技XDFOI方案覆盖2.5D/3D封装，通富微电大尺寸FCBGA进入量产，盛合晶微硅中介层技术已量产并绑定华为昇腾等客户，长电科技与通富微电位居全球封测前十 [16][21] - 关键材料：封装基板、PSPI、CMP抛光液等国产化率快速提升，SiC衬底环节，天岳先进全球市场份额16.7%排名第二，晶盛机电12英寸中试线已通线，三安光电与意法半导体合资建厂释放产能 [16][17][20] - 核心设备：混合键合机、CMP设备、激光划片机等设备厂商突破海外垄断，2024年中国半导体封装设备市场规模达282.7亿元，同比增长18.9%，SiC中介层量产将进一步引爆设备需求 [18][23] 市场表现与投资方向 - A股市场已提前反应，先进封装指数年初至今涨幅超14%，长电科技单日成交额破50亿元，晶盛机电、天岳先进等SiC标的出现异动 [5] - 投资可聚焦四个方向： 1. SiC材料及设备：关注12英寸SiC衬底及设备企业，如天岳先进、三安光电、晶盛机电、晶升股份，以分享2027年量产潮红利 [20] 2. 先进封装OSAT：关注技术突破且客户绑定的龙头，如长电科技、通富微电、盛合晶微，受益于海外产能缺口及国产替代 [21] 3. 关键材料：布局封装基板、PSPI、CMP材料等细分龙头，如深南电路、鼎龙股份、安集科技，伴随先进封装渗透率提升而需求放量 [22] 4. 混合键合及3D封装：关注前沿技术落地企业，如拓荆科技、芯源微、华海清科，把握技术从“0到1”的商业化机遇 [23]