文章核心观点 - 英特尔正通过多项前沿技术合作与内部技术储备，在AI驱动的存储新周期背景下，积极探索并布局重返高端DRAM市场的可能性，但其形式可能并非传统的独立制造，而是侧重于架构创新与系统整合[1][23][24][25] 存储巨头的浮沉：英特尔与DRAM的历史渊源 - 英特尔是全球DRAM行业的开创者，1970年推出的1103芯片是全球首款商业成功的DRAM产品，曾一度占据全球DRAM市场90%的份额[3][6] - 由于80年代日本厂商的激烈竞争导致成本劣势和巨额亏损，英特尔于1985年战略性退出DRAM业务，转向CPU领域[6] - 此后数十年，DRAM行业整合为三星、SK海力士、美光三大巨头垄断95%以上市场份额的寡头格局[7] 行业背景：AI驱动DRAM进入超级周期 - 生成式AI的爆发彻底改变了DRAM需求格局，AI工作负载推动数据中心HBM和DRAM需求爆炸式增长[7][9] - 据TrendForce集邦咨询预测，2026年一季度一般型DRAM合约价将季增55-60%，Server DRAM价格季增逾60%[9] - 市场研究显示，2025年DRAM行业营收将恢复至千亿美元级别，2029年有望达到1500亿美元，数据中心和汽车应用的复合年增长率分别高达25%和38%[9] AMT项目：与桑迪亚国家实验室的前沿技术合作 - 桑迪亚国家实验室与英特尔合作的“先进内存技术”（AMT）项目已进入产品化阶段，旨在解决国家关键任务中的内存带宽与延迟难题[1][11] - 项目中的下一代DRAM键合（NGDB）计划采用全新的内存组织与堆叠方法，旨在显著提升性能、降低功耗与成本[11] - 该技术打破了HBM与DDR DRAM之间的性能权衡，解决了“以容量换带宽”的痛点，使高带宽内存应用更广泛[11] - 英特尔已开发出新型堆叠方法和DRAM组织结构，原型产品完成了功能性验证，证实了大规模生产的可行性[13] Saimemory合资公司：低功耗存储的商业化路径 - 2024年末，英特尔与日本软银成立合资公司Saimemory，致力于开发替代HBM的堆叠式DRAM解决方案[15] - 其技术通过垂直堆叠DRAM芯片并结合英特尔的EMIB桥接技术，目标实现单芯片512GB容量、功耗降低40%-50%，量产成本仅为HBM的60%[15] - 该项目总投资预计达100亿日元（约合7000万美元），软银初期注资30亿日元成为最大股东，日本政府计划提供超50亿日元补贴[16] - 按照规划，Saimemory将在2027年前完成原型设计与量产评估，力争2030年前实现商业化，优先供应软银的AI数据中心[16] 技术储备：eDRAM领域的深厚积累 - 嵌入式DRAM（eDRAM）因低延迟、高带宽特性，被视为解决“内存墙”的有效手段之一，正重新成为行业焦点[19][20] - 相较于SRAM，eDRAM在相同芯片面积下容量可达SRAM的6倍左右；相较于传统DRAM，其延迟和功耗优势显著[20] - 英特尔早在十多年前的Haswell、Broadwell处理器时代就集成过128MB eDRAM作为L4缓存，在高性能计算领域（如Xeon Phi）也有应用[20][21] - 随着AI时代对极致性能的需求，英特尔在eDRAM领域的技术储备成为其重返高端存储赛道的关键筹码[21] 综合布局与未来展望 - 英特尔在存储领域采取多点布局策略：通过国家实验室合作保持前沿技术参与，借合资项目探索替代产品路径，同时内部保留eDRAM等集成化方案[23] - 在AI驱动的异构计算时代，英特尔可能凭借架构创新与系统整合能力，在存储领域重新定义自己的角色，而非与现有巨头在产能上正面对抗[24][25] - 未来的存储竞争将是架构、功耗、生态乃至地缘策略的复合博弈[25]