存储半导体价格走势 - 2024年1月主流PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定合同价格达到11.50美元，较上月的9.30美元上涨23.66%，并创下自2016年6月开始追踪以来的历史新高 [2] - DDR4内存的平均价格已连续10个月呈上涨趋势，从去年4月的1.65美元涨至当前水平 [2] - 1月份主流NAND闪存产品（128Gb 16Gx8 MLC）的平均固定合同价格飙升至9.46美元，较上月的5.74美元大幅上涨64.83%，这是连续第13个月上涨 [3] 价格上涨的驱动因素 - DDR4价格上涨主要由于供应短缺，因为AI普及导致供应商优先保障服务器用高附加值DRAM的供应 [2] - NAND闪存价格上涨部分原因是成熟工艺产品供应减少，供应商优先将产能分配给3D NAND和高容量产品，限制了SLC和MLC等产品的市场供应 [3] - 工业、汽车和电信等特殊应用领域对NAND闪存的强劲需求加剧了价格上涨 [3] - AI热潮是驱动本轮3C产品通胀的主因，AI服务器需求大爆发增加了对IC载板等关键零组件的需求 [4] 价格倒挂与市场结构 - DDR5内存模块相对于DDR4内存模块的折扣率已从去年第四季度的6%扩大到今年1月份的12%，价格倒挂现象加剧 [3] - 市场研究机构TrendForce评估DRAM市场已进入非常强劲的上升阶段，DDR4 8Gb模块价格自低点上涨了115-120%，平均价格达到85美元 [2] - 今年上半年，以供应商为中心的定价结构在供应比需求更受限的市场结构中根深蒂固，高价趋势短期内可能不会出现调整 [3] 供应链的连锁反应 - 除存储芯片外，IC载板、被动元件、铜箔基板等电子零组件也陆续涨价，导致3C产品价格涨势凶猛 [4] - IC载板的关键材料“玻纤布”因技术门槛高、生产量能有限而出现供货缺口，进而影响载板产能并推动涨价 [4] - 用于智能手机的BT载板自去年第二季起已开始涨价，用于CPU和GPU的ABF载板近日也开始调涨价格 [4] - 被动元件等产品涨价也受到白银、铜、铝、镍等贵金属原材料价格上涨的影响 [5] 行业展望与周期判断 - 预计2024年第一季度PC DRAM合约价格将比上一季度上涨105%-110% [3] - 美光客户端业务部行销副总裁指出，受AI需求成长影响，全球记忆体短缺局面预计持续到2028年 [5] - 全球EDA大厂新思科技执行长预期，这波记忆体供应紧缩问题不只今年难以改善，还将持续到明年 [5] - 产业界人士认为，若记忆体大厂调整产线配置，DDR4、DDR5等记忆体产量缺口有机会逐步缩小，最快明年供货可回复平稳 [5] - AI带来结构性调整，改变了产业循环，可能形成至少五年内缺货难解的“准超级循环” [7] AI对存储产业的深远影响 - 记忆体成为所有AI产品必备元件，也是AI建立模型必备运算核心，连谷歌等全球云端服务业者都直接下场抢货，引发产业结构性大调整 [6] - AI发展需要比传统记忆体更高的频宽，HBM（高频宽记忆体）成为关键，若AI加速器是引擎，HBM就是高速公路 [6] - 去年下半年，Open AI、Meta、谷歌、亚马逊及英伟达等大厂已大举包下SK海力士、美光和三星等三大厂的HBM产能，导致DRAM缺货风暴蔓延 [6] - 业界指出，AI霸主英伟达已率先全球导入HBM4，未来可能推进到HBM4E、HBM5、HBM6 [6]