下一代内存技术HBF的兴起与市场预测 - 核心观点：高带宽闪存（HBF）作为下一代NAND闪存产品，预计将在约10年内超越高带宽存储器（HBM）市场，成为人工智能时代满足爆炸式数据增长需求的关键内存技术，其核心优势在于提供超大容量 [1][2] - 技术定位：HBF通过垂直堆叠NAND闪存显著提升容量，主要用于长期存储，与负责速度的HBM形成互补，被比喻为“图书馆”与“书架”的关系 [1][2] - 市场预测：HBF市场规模预计将从2027年的10亿美元增长至2030年的120亿美元，且从2038年起，其需求将超过HBM [3][7][8] HBF的技术特点与架构 - 性能参数：HBF的速度约为HBM的80%到90%，容量却是HBM的8到16倍，功耗降低约40%，能在更低成本下实现高达10倍的处理量扩展 [5][6] - 产品结构：第一代HBF产品预计将堆叠16层32GB的NAND闪存，总容量约为512GB [6] - 架构方案：下一代内存架构方案包括在GPU两侧分别安装HBM和HBF，例如组合为96GB HBM和2TB HBF，以消除AI运算中的容量限制 [2] 行业发展趋势与驱动力 - 行业重心转移：随着AI需求增长，内存市场重心正从传统DRAM和NAND迅速转向高带宽产品（如HBM和HBF） [7] - 技术演进方向：以内存为中心的计算（MCC）架构的成熟，将推动对HBF容量的需求显著增加 [3][9] - 应用场景扩展：AI从训练转向推理，以及从文本界面向语音界面的过渡，导致所需数据量爆炸式增长，增强了作为长期记忆“键值”缓存的NAND闪存的作用 [1][5] 主要厂商的战略布局 - SK海力士：坚持以HBM为核心战略，同时将HBF定位为补充解决方案，正在开发HBF并计划于明年开始量产，并与SanDisk合作开发及推动标准化 [3][5][6] - 三星电子：着力推进AI内存和存储架构的全面革新，研究整合内存和存储的统一架构，并利用其晶圆代工部门的专业知识提高基于NAND的解决方案的性能 [6][7] - 技术合作：相关技术研发正与三星电子、SK海力士、闪迪（SanDisk）进行技术交流，并与AMD、谷歌、英伟达等潜在客户公司保持联系 [3] 竞争格局与韩国产业机遇 - 韩国企业优势：三星电子和SK海力士同时具备HBM和封装能力，相比只专注NAND的闪迪占据更有利地位，未来10到20年韩国有望在AI计算机领域占据领先地位 [3] - 技术竞赛：由于HBF工艺与现有HBM工艺几乎相同，最终将演变成一场技术速度的竞赛，全面商业化取决于哪些服务会采用该技术 [4] - 必要性：继HBM之后，韩国内存制造商必须在HBF领域主动出击，以保持在AI市场的影响力 [4][9]