英特尔与SAIMEMORY合作推进Z角内存商业化 - 英特尔宣布与软银旗下SAIMEMORY合作，旨在将Z角内存商业化[2] - ZAM是一种先进的DRAM技术，采用垂直堆叠方式，预计至少三年内无法上市[2] - 该技术最终可能取代当前因AI需求旺盛的高带宽内存[2] ZAM技术特点与行业瓶颈 - 内存带宽是当前AI处理的主要瓶颈，制约了数据在内存与GPU间的传输[2] - 英伟达和AMD等公司通过在GPU芯片上集成数百GB的HBM来缓解此瓶颈[2] - HBM需求激增导致全球NAND闪存库存短缺，推高了内存模块和NVMe存储价格并造成供应链短缺[2] - ZAM技术容量是HBM的2到3倍，带宽更高，而能耗和成本却远低于HBM[2] 下一代DRAM键合计划背景 - 合作基于英特尔在下一代DRAM键合计划中开发的基础技术和专业知识[2] - NGDB计划是先进存储技术项目的一部分，由美国能源部和国家核安全管理局倡议[4] - 该项目聚集了英特尔、SK海力士、软银等供应商与美国能源部政府实验室，共同开发包括ZAM、HBM、CXL及MRAM在内的新存储技术[4] - NGDB项目已进入第三年，前两年专注研发，第三年将侧重产品化[4] 技术进展与突破 - 桑迪亚国家实验室展示了采用“新型堆叠方法”，使用“一体式通孔”结构将八个存储晶圆垂直键合到一个基底晶圆上[4] - 英特尔政府技术首席技术官表示，NGDB展示了一种全新的内存架构和革命性组装方法，能显著提升DRAM性能、降低功耗并优化成本[5] - 桑迪亚国家实验室首席技术人员认为，该突破将促使更高带宽内存更广泛地应用于目前受容量和功率限制的系统[5] - 此次演示证实NGDB技术可结合以生产高性能、大批量生产的存储器[7] 合作细节与时间规划 - 软银将向SAIMEMORY投资30亿日元（约合1900万美元），与英特尔合作开发ZAM芯片[7] - SAIMEMORY预计将于2027年推出ZAM原型机，并于2029年实现商业化[7] - 若时间表实现，将对下一代AI系统大有裨益，但当前HBM供应链压力预计未来几年内不会减弱[7] 战略合作与宏观背景 - ZAM计划加强了美日之间的战略技术伙伴关系[7] - 美国能源部副部长近期赴日参会，以巩固阿贡国家实验室、英伟达、理研和富士通之间扩大的合作关系[7] - 开发ZAM等新技术替代或增强HBM，与美国能源部旨在通过AI加速科学发现的“创世纪计划”目标密切相关[7][8] - 从AMT过渡到ZAM加强了值得信赖的美日技术合作伙伴关系，并加快了从国家实验室研究到全球部署的进程[8]