市场传闻与实际情况 - 国内市场流传“内存价格闪崩”消息，引发资本市场与产业链高度关注 [1] - 多方调研显示，当前内存现货价格确有小幅回调，但幅度相对有限，尚未形成行业层面的系统性下跌 [1] - 部分细分品类甚至出现阶段性“补涨”行情 [2] 价格波动的结构性原因 - 本轮“闪崩”传闻更多集中在渠道现货市场，而非原厂合约市场 [4] - 春节前渠道商普遍存在库存管理与现金流回笼需求，报价短期波动属常规现象 [4] - 部分终端客户阶段性观望，也会在节前压制成交活跃度 [4] 供给端状况分析 - 全球三大存储原厂（Samsung Electronics、SK海力士、Micron Technology）目前仍维持相对审慎的产能策略 [4] - 在AI算力需求带动下，HBM等高端产品线成为重点投放方向，传统DRAM与NAND产能扩张节奏仍处于可控区间 [4] - 供给侧未出现明显放量迹象，是业内判断“难以出现闪崩”的重要依据 [5] 需求端结构性支撑 - AI服务器、高性能计算以及数据中心扩张仍构成结构性支撑 [5] - DDR5渗透率持续提升，叠加HBM持续紧缺，推动高端存储产品维持相对坚挺 [5] - 部分低规格产品出现报价松动，更可能是结构性价格再平衡，而非全面周期反转 [5] 市场情绪与基本面对比 - 渠道商普遍反馈，市场炒作情绪有所降温，但整体供需结构并未出现根本性逆转 [3] - 北美资本市场对存储股的高位调整，在一定程度上放大了市场情绪 [6] - 从基本面角度看，目前尚未出现库存重新大幅累积或原厂主动降价抢份额的迹象 [6]