文章核心观点 - 三星电子与英伟达合作，利用人工智能加速下一代铁电NAND闪存芯片的研发，旨在保持其在人工智能半导体领域的技术领先地位，并共同推进该技术的商业化 [1][2] 合作与研发进展 - 三星电子半导体研究院、英伟达和佐治亚理工学院的联合研究团队开发了名为“物理信息神经网络算子（PINO）”的人工智能模型 [1] - PINO模型分析铁电NAND器件性能的速度比传统方法快1万倍以上 [1] - 该研究团队利用基于物理定律训练的人工智能，将原本需要60小时的技术计算机辅助设计（TCAD）操作时间缩短到10秒以内 [2] 技术细节与优势 - 铁电NAND是一种使用铁电材料而非传统硅材料制造的闪存，铁电材料无需持续电输入即可维持极化状态，能以极低功耗高效存储信息 [1] - 三星电子在国际期刊《自然》上发表的铁电NAND闪存技术，与传统NAND闪存相比功耗降低了96% [2] - 铁电NAND的商业化需要精确分析并改进材料性能特征，如阈值电压和数据保持能力 [2] 行业地位与知识产权 - 韩国在全球铁电专利份额中占比43.1%，位列前五，其中三星电子的份额为27.8% [2] - 三星电子在将铁电材料应用于NAND闪存器件的研究中处于领先地位 [1] 未来发展方向 - 基于研究成果，三星电子将与最大的内存客户英伟达合作，共同推进铁电NAND闪存的商业化开发 [2] - 此举预示着双方在引领全球人工智能半导体发展、保持下一代芯片技术领先地位方面的未来方向 [1][2]