英特尔先进封装技术战略 - 公司推出可制造大尺寸人工智能半导体芯片的先进封装技术，核心在于提供120×120毫米规格的封装产品，旨在强化其晶圆代工业务的竞争力[1] - 目前市面上AI半导体芯片封装尺寸大多为100×100毫米，英伟达最新AI芯片“Blackwell”也采用此规格，公司的新技术提供了更大的封装尺寸[1] 技术细节与性能提升 - 通过将封装尺寸从常见的100×100毫米扩大至120×120毫米，可为高带宽内存（HBM）留出更大布局空间，从而大幅提升AI芯片性能[1] - 公司计划通过120×120毫米封装至少搭载12颗以上HBM，而100×100毫米规格通常只能搭载8颗[2] - 公司还计划在2028年推出120×180毫米封装，目标可搭载多达24颗HBM[2] - 封装尺寸增大带来了翘曲、良率下降等工艺挑战，需要高端技术支撑[1] 核心技术路径 - 公司独有的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）封装技术是强化代工竞争力的核心，该技术利用嵌入在半导体基板中的硅桥实现封装内不同芯片的互联[2] - 公司去年已公布在EMIB上应用硅通孔（TSV）技术的EMIB‑T，并正针对未来量产的HBM4优化EMIB‑T架构，新架构重点为AI芯片提供更稳定的电力供应[2] 市场背景与战略意图 - 公司此举是在代工市场谋求翻盘的战略，随着AI普及，AI芯片代工需求激增，但公司目前仍落后于台积电与三星电子[2] - 业内人士评价，公司此前大多将先进工艺技术用于自家芯片，但为扩大代工业务，将积极向外部客户开放，战略是以多样化的封装尺寸与封装技术抢占客户需求[3] - 公司代工相关负责人表示，当前市场正在寻求120×120毫米以上的AI半导体芯片封装方案，考虑到AI普及趋势，长期来看封装尺寸有望扩大至250×250毫米[2]