当前市场状况 - DRAM价格自2025年第三季度以来已上涨接近一倍 [2] - 三星半导体部门2025年第四季度利润同比暴涨250%，SK海力士的营业利润率逼近56% [2] - 三星和SK海力士合计控制全球约70%的DRAM产能 [2] - 2026年DRAM行业资本支出预计约为613亿美元，同比增长约14%，远低于历史扩张周期增速 [2] - 相比之下，2017至2018年景气周期，三大厂商的资本开支增速曾达到30%至50% [2] 历史教训与周期规律 - 1993至1996年周期：DRAM价格在1996年一年内暴跌75% [5] - 2000至2002年周期：互联网泡沫破裂后，需求断崖式下滑，DRAM价格进入长达数年的低迷 [6] - 2017至2018年及2022年周期：2022至2023年，PC和智能手机销量下滑，厂商实施减产，部分季度毛利率跌为负数 [7] - 行业存在“投资第一定律”：最应该大举投资时（景气期），往往是厂商利润丰厚时，但新产能从决策到量产需2至3年，落地时市场可能已翻转 [14] - 行业存在“投资第二定律”：若在低谷期未能投资，新产能会精准踩在最不需要它的时候投产 [14] 本轮周期的结构性变化：AI与HBM - HBM（高带宽内存）制造良率在50%至60%之间，生产一颗AI芯片消耗的产能相当于三到四颗标准PC内存芯片 [8] - 内存厂商将产能向HBM倾斜，在物理上压缩了普通DRAM的供给 [8] - 一台配置八个AI加速器的服务器包含约1.6TB的HBM和约3TB的DDR5内存，而一台2025年典型非AI服务器使用的DRAM内存不足1TB [8] - AI服务器的内存消耗是普通服务器的三到四倍，且部署量以指数级增长 [8] - 超大规模数据中心运营商对价格敏感度低，愿意支付更高价格确保供应，推高了所有其他买家的定价，使传统的内存周期自我修正机制尚未出现 [9] 主要厂商策略与资本开支 - SK海力士：是此轮最大赢家，在HBM市场占据约60%份额 [11]；2025年内存领域资本支出为28万亿韩元，其中85%至90%投入DRAM，HBM相关投资为2万亿韩元，同比下降50% [11] - 三星：2025年资本开支为33万亿韩元，2026年计划超过40万亿韩元，增量主要集中在HBM4和先进制程扩产 [11]；内部对扩产节奏存在争论，担心未来几年产能过剩 [11] - 美光：宣布退出消费者内存和存储市场，重心完全转向AI数据中心客户 [12]；2026年资本开支预计为135亿美元，同比增长23%，是三家中扩产力度最大的，重点是1-gamma制程和TSV设备扩张 [12]；其位于博伊西的新晶圆厂预计最早2027年投产 [12] 产能与供应紧张现状 - 目前全球DRAM库存仅剩2至3周，NAND库存约3至4周，均处于历史性低位 [14] - 整个DRAM行业的净室产能仍然受限，短期内新增产能对整体供给影响有限 [14] - 真正大规模的新增产能要等到2027年，如三星P4L和SK海力士M15X等大型晶圆厂实现量产，供应才会出现实质性缓解 [14] 未来风险与市场展望 - 三星内部已将2028年前后视为潜在的市场反转节点，届时产能将集中释放 [15] - 当前市场存在双重下单、积压订单膨胀、价格抛物线式上涨等特征，可能出现在需求逆转的前夜 [15] - NAND市场风险更直接，因竞争参与者更多，历史上价格战更为惨烈，可能比DRAM更早迎来新一轮供给过剩 [15] - AI基础设施投资热潮能否维持存在巨大不确定性，其投资节奏受宏观经济、资本市场等变量影响，内存厂商难以控制 [17] - SK海力士预计DRAM价格将在未来数年持续上涨，正以更多短期合同来对冲不确定性 [17]