SK海力士与台积电的合作战略 - 为加速基于最先进工艺的高带宽内存研发，SK海力士正加强与全球最大半导体代工厂台积电的合作 [2] - 合作旨在抵御三星电子在HBM市场的激烈竞争，并确保第七代HBM技术顺利实施 [2] - 台积电表示正在扩大3nm制程生产计划，以满足包括HBM基板在内的各种人工智能需求 [2] HBM4E技术研发与生产安排 - SK海力士计划在下一代产品HBM4E的基础芯片上应用台积电的3nm工艺 [2] - 台积电3nm基础芯片的能效是现有工艺的两倍，能满足英伟达等主要客户对高能效AI半导体的需求 [2] - 公司计划明年开始全面量产HBM4E芯片 [2] HBM4技术进展与生产外包 - SK海力士已将HBM4基础芯片的生产委托给台积电的12nm工艺 [2] - 这是因为从HBM4开始，基础芯片的传输通道数量翻倍，需要超精细电路，存储器工艺难以实现 [2] - 尽管在HBM4芯片认证过程中遇到困难，但公司已完成基础芯片重新设计，准备于下半年交付高质量产品 [3][4] 核心芯片技术规划 - SK海力士计划将更先进的第六代DRAM工艺应用于堆叠在基础芯片之上的核心芯片 [3] - 其目标是通过结合台积电3nm工艺和自身1c工艺，在每瓦性能方面超越三星电子 [3] 面临的挑战与竞争态势 - 韩国与台湾的地理距离是一大障碍，SK海力士与台积电单程交换芯片样品需约三天，而三星电子工厂位置相近可实现实时协作 [3] - 供应链存在不确定性，业内人士预测台积电3nm工艺的产能短缺预计将持续到明年 [3] - 今年2月，三星电子率先在全球量产并出货HBM4，在竞争中占据领先地位 [3] - SK海力士通过争取时间向英伟达供应HBM4芯片，以继续保持技术领先优势 [3]