行业核心动态：NAND闪存市场结构性转变 - 全球存储器制造商正从传统2D NAND转向高容量解决方案，导致低容量通用型NAND芯片供应急剧收紧，现货价格飙升[2] - 64Gb MLC NAND现货价格较2025年底水平上涨了300%以上，近期交易价格在20–28美元区间[2] - 主要NAND供应商正积极将产能从2D NAND转向HBM和先进的3D NAND，推动了更广泛的价格上涨趋势[2] 主要供应商产能调整与退出计划 三星 - 于2025年3月开始逐步关闭其华城12线的2D NAND生产，并将该厂区转换为1c DRAM的后期工艺晶圆厂[2] - 将在完成最后一批交付后停止出货，正式关闭其最后一个月产能为80,000–100,000片晶圆的2D NAND据点[2] - 已开始量产第9代286层NAND，其下一步战略布局核心是400层级的V10器件[6] 铠侠 - 计划在2025年9月底前接收最后订单，于2028年12月完成最后出货，并从2029年起完全退出2D NAND和第三代BiCS FLASH市场[4][5] - 计划在2026年左右开始量产其第10代332层NAND闪存，以应对生成式AI驱动的存储需求激增[6] 美光 - 仅维持足以满足现有客户需求的MLC NAND生产水平，几乎没有动力扩大产能[4][5] - 已宣布终结其消费品牌Crucial[5] SK海力士 - 已经在量产321层NAND并供应客户[6] 技术路线与市场影响 - MLC NAND每个单元存储2位数据，与TLC和QLC相比容量较低，但具有更强的数据保留能力和耐用性[6] - 疲软的盈利能力导致MLC被推离市场[6] - 在人工智能需求激增的背景下，存储巨头正将产能转向更高层数的3D NAND[6] - 全球MLC NAND闪存产能预计在2026年将同比下降41.7%，进一步加深供需失衡[4] - 铠侠的目标是扩大与亚马逊网络服务和微软等超大规模客户的业务，以支持AI工作负载[6]