如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 由名古屋大学低温等离子体科学研究中心的项目教授堀胜、小田修和清水直弘领导的NU-Rei研究 团队宣布，他们成功实现了世界首例在硅(Si)衬底上异质外延生长氧化镓(Ga₂O₃)。该团队将在日 本应用物理学会春季会议（2026年3月15日至18日）上展示包括此次研究在内的六项关于Ga₂O₃外 延生长的研究成果。这些成果计划由NU-Rei（一家源自名古屋大学的初创公司）投入实际应用。 名古屋大学于2025年宣布了一项利用NiO扩散层控制氧化镓p型特性的技术。此次公布的六项成果 也有望推动支持此类器件制造技术的材料生长工艺的发展。 具体来说，他们首先开发了一种高密度氧自由基源（HD-ORS）。他们声称，通过使用分子束外延 （MBE）或物理气相沉积（PVD）形成薄膜，与传统方法相比，他们可以将原子氧密度提高一 倍。 此外，利用HD-ORS在MBE中，即使在300°C的低温环境下，也能以每小时1 μm的速率实现Ga₂O₃ 的同质外延生长。研究还表明，利用HD-ORS在PVD中也能以每小时1 μm的速率生长稳定的(001) 面同质外延薄膜。该速度比典型的MBE快约10倍。此外，还建 ...