台积电推迟采用高数值孔径EUV及其战略考量 - 台积电宣布不打算在其计划于2029年左右推出的A13节点上采用高数值孔径EUV光刻系统[2] - 该决定反映了其战略是扩展现有低数值孔径EUV设备的性能范围，而非急于转向下一代光刻技术[3] - 台积电通过光学缩减等技术，在A13节点上使芯片面积减少了约6%，同时保持设计规则和电气兼容性，便于客户升级[4] 高数值孔径EUV的成本与采用挑战 - 高数值孔径EUV系统价格昂贵，每台售价约为4亿美元，大约是当前一代EUV系统成本的两倍[3] - 台积电推迟采用的部分原因是成本问题，尤其是在其加速海外扩产的背景下[3] - 低数值孔径EUV结合多重曝光技术，在接近1纳米及以下的节点将面临限制，届时高数值孔径EUV预计将成为必需[5] 低数值孔径EUV的需求与性能扩展 - ASML与台积电均认为低数值孔径EUV技术仍保持强劲增长势头[6] - ASML目标在2026年至少生产60套低数值孔径EUV系统，并计划在2027年将产量进一步扩大到80套左右[6] - ASML展示了其低数值孔径EUV平台的长生命周期，预计到2031年设备性能将达到每小时330片晶圆，远高于当前水平[7] ASML的财务表现与产品收入构成 - ASML在2026年第一季度实现净系统销售额63亿欧元，其中EUV系统贡献超过41亿欧元[6] - 该季度营收包括两款高数值孔径EUV光刻机的收入，但大部分EUV收入仍来自低数值孔径系统[6] - 假设高数值孔径工具单价约4亿美元，印证了低数值孔径系统仍是收入主力[6] 半导体行业客户格局的变化 - 台积电长期是ASML最大客户，占据全球EUV系统装机量的56%[9] - 然而，ASML的客户构成正在变化，韩国地区占其2026年第一季度销售额的45%，高于2025年第四季度的22%[10] - 三星从ASML订购了约20套用于10纳米以下节点的EUV系统，SK海力士据报也获得了约24套EUV设备[10][13] ASML向新业务领域的拓展 - 在下一代EUV需求存在不确定性的背景下，ASML寻求超越光刻核心业务，目标拓展到先进封装领域[8] - 公司被认为正在推进晶圆对晶圆混合键合设备的研发，利用其核心Twinscan光刻平台技术[8] - 业内人士预计三星和SK海力士最迟会在HBM5中采用混合键合技术，这可能为ASML带来新的增长动力[8] 行业技术路线与竞争动态 - 台积电扩展了其1-2nm工艺路线图，推出了包括A12、A13及N2U在内的多个节点变体，目标上市时间为2028至2029年[3] - 包括英特尔和SK海力士在内的ASML客户，已准备最早于2027年采用高数值孔径EUV系统，用于AI逻辑芯片和高带宽存储芯片[5] - 台积电的渐进式微缩策略与同行更为激进的高数值孔径采用策略之间的竞争，是行业关注焦点[14]