技术突破 - 中国科学院上海微系统所联合宁波大学团队研发出双向高导热石墨膜，面内热导率Kin达到1754W/mK，面外热导率Kout突破14.2W/mK [1] - 新型石墨膜厚度为40微米，在缺陷控制、晶粒尺寸和取向性方面显著优于传统导热膜 [1] - 采用芳纶膜前驱体通过高温石墨化工艺制备，氮掺杂与低氧含量特性提升了结晶质量和双向导热性能 [1] 性能优势 - 智能手机散热模拟显示芯片表面最高温度从52℃降至45℃ [1] - 在2000W/cm²热流密度下，芯片表面温差从50℃大幅降低至9℃，实现快速温度均匀化 [1] - 双向导热特性同时优化了面内和面外热传导性能 [1] 应用前景 - 该技术为5G芯片和功率半导体等高功率器件提供关键热管理解决方案 [1] - 材料性能突破可满足高功率电子设备日益增长的散热需求 [1] - 芳纶前驱体在石墨膜制备中展现出独特优势，具有产业化应用潜力 [1]