文章核心观点 随着人工智能发展，数据中心基础设施需同步演进，罗姆作为功率半导体技术领导者，为英伟达新800V高压直流（HVDC）架构提供关键硅技术支持，助力更高效、可扩展和可持续的人工智能工厂建设 [1] 公司产品组合 - 公司功率器件组合涵盖硅和宽带隙技术，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），为数据中心设计师提供战略路径 [2] - 公司硅MOSFET已广泛应用于汽车和工业领域，能平衡价格、效率和可靠性，适合人工智能基础设施发展过渡阶段 [2] 公司产品案例 - RY7P250BM是一款100V功率MOSFET，获全球主要云服务提供商认可，专为48V电源系统热插拔电路设计，可降低功率损耗、提高系统可靠性 [3] 公司产品与英伟达架构契合点 - 公司SiC器件在工业级低损耗整流方面表现出色，契合英伟达大规模部署800V HVDC数据中心架构以驱动1MW计算机架及以上的计划 [4] - 公司SiC MOSFET在高压、高功率环境中性能优越，能降低开关和传导损耗，提高效率，与英伟达800V HVDC架构要求完美契合 [5] 公司氮化镓技术进展 - 公司以EcoGaN™品牌推进氮化镓技术，在100V至650V范围内性能卓越，其专有纳米脉冲控制技术可进一步改善开关性能 [6] 公司高功率模块情况 - 公司提供一系列高功率SiC模块，如HSDIP20，适用于英伟达架构中的集中式电源系统，具备强大热性能和可扩展性 [7] 公司合作态度 - 公司致力于与英伟达等行业领导者、数据中心运营商和电源系统设计师密切合作，为下一代人工智能工厂提供基础硅技术 [8]