Aligned with the industry’s 800 VDC Roadmap to Enable Gigawatt-Scale AI InfrastructureSanta Clara, CA and Kyoto, Japan, Oct. 13, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) -- ROHM Semiconductor today announced the release of a new white paper detailing advanced power solutions for AI data centers based on the novel 800 VDC architecture, reinforcing its role as a key semiconductor industry player in driving system innovation. As part of the collaboration announced in June 2025, the white paper outlines optimal power strategies t ...

新闻核心观点 - 罗姆半导体发布白皮书，详细介绍了基于新型800 VDC架构的AI数据中心先进电源解决方案，巩固了其在推动系统创新方面的关键行业参与者角色 [1] 白皮书发布背景 - 白皮书是作为2025年6月宣布的合作的一部分而发布，概述了支持AI基础设施大规模800 VDC配电的最佳电源策略 [1] 800 VDC架构优势 - 800 VDC架构代表一种高效、可扩展的电力输送系统，有望通过实现千兆瓦规模的AI工厂来改变数据中心设计 [2] - 转向800 VDC架构可显著提高数据中心效率、功率密度和可持续性 [4] - 在800 VDC系统中，传统的在服务器机柜内进行的AC-DC转换被重新定位到专用的电源机柜 [4] - AC-DC转换移至IT机柜外部后，IT机柜内部更高密度的配置可以更好地支持GPU集成 [5] 行业挑战与解决方案 - AI数据中心每个机架的功耗需求正在迅速增长，将传统的48V/12V直流供电系统推至极限 [3] - 从AC到800 VDC（在电源机柜中）以及从800 VDC到更低电压（在IT机柜中）的每个转换阶段都需要专门的解决方案 [6] - 宽禁带器件对于实现高效性能至关重要 [5] 罗姆半导体技术产品组合 - 公司提供广泛的功率器件产品组合，包括硅、碳化硅和氮化镓，并且是全球少数拥有开发能够最大化器件性能的模拟IC技术专长的公司之一 [2] - 白皮书包含公司全面的电源解决方案，涵盖广泛的功率器件和模拟IC技术，并得到热设计仿真、板级设计策略和实际实施示例的支持 [3] - 公司的碳化硅和氮化镓器件有助于提高效率、降低噪声，同时减小外围元件尺寸，显著增加功率密度 [6] 关键产品技术亮点 - 公司的EcoSiC™系列提供业界领先的低导通电阻和顶部冷却模块，非常适合AI服务器 [7] - EcoGaN™系列将氮化镓性能与专有的模拟IC技术相结合，实现稳定的栅极驱动、超快控制和高频操作，这些特点已获得强烈的市场认可 [7] - EcoSiC品牌利用碳化硅，其性能超越硅，公司从晶圆制造到封装的整个制造过程建立了集成生产体系 [9] - EcoGaN品牌通过最大化氮化镓特性，实现更低的应用功耗、更小的外围元件和更简单的设计，有助于节能和小型化 [11] - EcoMOS是公司的硅功率MOSFET品牌，针对节能应用进行了优化，提供根据噪声和开关性能等参数量身定制的产品线 [12] 行业合作与推动 - 向800 VDC基础设施的转变是集体的行业努力，公司正与英伟达、数据中心运营商和电源系统设计师密切合作，为下一代AI基础设施提供必要的宽禁带半导体技术 [8] - 通过战略合作，包括2022年与台达电子的合作伙伴关系，公司继续推动碳化硅和氮化镓功率器件的创新 [8]

ROHM at electronica India 2025 electronica India 2025 is the ideal platform to showcase real-world applications enabled by ROHM’s advanced power semiconductors. ROHM's Power Eco Family Contributes to next-Generation ecosystems. Santa Clara, CA and Bengaluru, India, Aug. 28, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) -- ROHM Semiconductor today announced from September 17th to 19th, it will particpate in electronica India 2025, South Asia's premier trade fair for electronic components, systems, applications, and solution ...

文章核心观点 随着人工智能发展，数据中心基础设施需同步演进，罗姆作为功率半导体技术领导者，为英伟达新800V高压直流（HVDC）架构提供关键硅技术支持，助力更高效、可扩展和可持续的人工智能工厂建设 [1] 公司产品组合 - 公司功率器件组合涵盖硅和宽带隙技术，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），为数据中心设计师提供战略路径 [2] - 公司硅MOSFET已广泛应用于汽车和工业领域，能平衡价格、效率和可靠性，适合人工智能基础设施发展过渡阶段 [2] 公司产品案例 - RY7P250BM是一款100V功率MOSFET，获全球主要云服务提供商认可，专为48V电源系统热插拔电路设计，可降低功率损耗、提高系统可靠性 [3] 公司产品与英伟达架构契合点 - 公司SiC器件在工业级低损耗整流方面表现出色，契合英伟达大规模部署800V HVDC数据中心架构以驱动1MW计算机架及以上的计划 [4] - 公司SiC MOSFET在高压、高功率环境中性能优越，能降低开关和传导损耗，提高效率，与英伟达800V HVDC架构要求完美契合 [5] 公司氮化镓技术进展 - 公司以EcoGaN™品牌推进氮化镓技术，在100V至650V范围内性能卓越，其专有纳米脉冲控制技术可进一步改善开关性能 [6] 公司高功率模块情况 - 公司提供一系列高功率SiC模块，如HSDIP20，适用于英伟达架构中的集中式电源系统，具备强大热性能和可扩展性 [7] 公司合作态度 - 公司致力于与英伟达等行业领导者、数据中心运营商和电源系统设计师密切合作，为下一代人工智能工厂提供基础硅技术 [8]