文章核心观点 - 罗姆半导体发布白皮书 详细阐述了基于新型800 VDC架构的AI数据中心先进电源解决方案 巩固了其作为推动系统创新的关键半导体行业参与者的角色 [1] 行业趋势与挑战 - AI数据中心单机柜功耗需求正迅速上升 正将传统的48V/12V DC供电系统推向极限 [4] - 向800 VDC架构转型是行业集体努力的方向 [9] 800 VDC架构的优势与变革 - 800 VDC架构代表一种高效、可扩展的电力输送系统 有望通过实现千兆瓦级AI工厂来改变数据中心设计 [3] - 转向800 VDC架构可显著提高数据中心效率、功率密度和可持续性 [5] - 在800 VDC系统中 传统在服务器机柜内完成的AC-DC转换被转移至专用的电源柜 [5] - 将AC-DC转换移出IT机柜后 IT机柜内更高密度的配置可以更好地支持GPU集成 [6] 罗姆半导体的技术与解决方案 - 罗姆提供广泛的功率器件产品组合 包括硅、碳化硅和氮化镓 并且是全球少数拥有开发能够最大化器件性能的模拟IC技术专长的公司之一 [3] - 宽禁带器件对于实现高效性能至关重要 [6] - 从电源柜中的AC到800 VDC转换 到IT机柜中从800 VDC到更低电压的转换 每个转换阶段都需要专门的解决方案 [7] - 罗姆的碳化硅和氮化镓器件有助于提高效率、降低噪声 同时减小外围元件尺寸 显著提高功率密度 [7] - 罗姆的EcoSiC™系列提供业界领先的低导通电阻和顶部冷却模块 非常适合AI服务器 [8] - 罗姆的EcoGaN™系列将氮化镓性能与专有模拟IC技术相结合 包括Nano Pulse Control™ 可实现稳定的栅极驱动、超快控制和高频操作 这些特性已获得强烈的市场认可 [8] - 罗姆独立开发碳化硅进步所必需的技术 从晶圆制造、生产工艺到封装和质量控制方法 并建立了贯穿制造过程的集成生产体系 巩固了其作为领先碳化硅供应商的地位 [10] - 罗姆的EcoGaN™通过最大化氮化镓特性 实现更低的应用程序功耗、更小的外围元件和需要更少零件的更简单设计 从而有助于节能和小型化 [11] - 罗姆的EcoMOS™是优化用于节能应用的硅功率MOSFET品牌 被消费电子、工业设备和汽车等广泛应用采用 提供根据噪声和开关性能等参数定制的产品线 [12] 合作与市场定位 - 作为2025年6月宣布合作的一部分 该白皮书概述了支持AI基础设施大规模800 VDC配电的最佳电源策略 [2] - 罗姆正与英伟达、数据中心运营商和电源系统设计师密切合作 为下一代AI基础设施提供必要的宽禁带半导体技术 [9] - 通过包括2022年与台达电子的合作伙伴关系在内的战略合作 罗姆持续推动碳化硅和氮化镓功率器件的创新 以实现强大、可持续且高能效的数据中心解决方案 [9]

新闻核心观点 - 罗姆半导体发布白皮书，详细介绍了基于新型800 VDC架构的AI数据中心先进电源解决方案，巩固了其在推动系统创新方面的关键行业参与者角色 [1] 白皮书发布背景 - 白皮书是作为2025年6月宣布的合作的一部分而发布，概述了支持AI基础设施大规模800 VDC配电的最佳电源策略 [1] 800 VDC架构优势 - 800 VDC架构代表一种高效、可扩展的电力输送系统，有望通过实现千兆瓦规模的AI工厂来改变数据中心设计 [2] - 转向800 VDC架构可显著提高数据中心效率、功率密度和可持续性 [4] - 在800 VDC系统中，传统的在服务器机柜内进行的AC-DC转换被重新定位到专用的电源机柜 [4] - AC-DC转换移至IT机柜外部后，IT机柜内部更高密度的配置可以更好地支持GPU集成 [5] 行业挑战与解决方案 - AI数据中心每个机架的功耗需求正在迅速增长，将传统的48V/12V直流供电系统推至极限 [3] - 从AC到800 VDC（在电源机柜中）以及从800 VDC到更低电压（在IT机柜中）的每个转换阶段都需要专门的解决方案 [6] - 宽禁带器件对于实现高效性能至关重要 [5] 罗姆半导体技术产品组合 - 公司提供广泛的功率器件产品组合，包括硅、碳化硅和氮化镓，并且是全球少数拥有开发能够最大化器件性能的模拟IC技术专长的公司之一 [2] - 白皮书包含公司全面的电源解决方案，涵盖广泛的功率器件和模拟IC技术，并得到热设计仿真、板级设计策略和实际实施示例的支持 [3] - 公司的碳化硅和氮化镓器件有助于提高效率、降低噪声，同时减小外围元件尺寸，显著增加功率密度 [6] 关键产品技术亮点 - 公司的EcoSiC™系列提供业界领先的低导通电阻和顶部冷却模块，非常适合AI服务器 [7] - EcoGaN™系列将氮化镓性能与专有的模拟IC技术相结合，实现稳定的栅极驱动、超快控制和高频操作，这些特点已获得强烈的市场认可 [7] - EcoSiC品牌利用碳化硅，其性能超越硅，公司从晶圆制造到封装的整个制造过程建立了集成生产体系 [9] - EcoGaN品牌通过最大化氮化镓特性，实现更低的应用功耗、更小的外围元件和更简单的设计，有助于节能和小型化 [11] - EcoMOS是公司的硅功率MOSFET品牌，针对节能应用进行了优化，提供根据噪声和开关性能等参数量身定制的产品线 [12] 行业合作与推动 - 向800 VDC基础设施的转变是集体的行业努力，公司正与英伟达、数据中心运营商和电源系统设计师密切合作，为下一代AI基础设施提供必要的宽禁带半导体技术 [8] - 通过战略合作，包括2022年与台达电子的合作伙伴关系，公司继续推动碳化硅和氮化镓功率器件的创新 [8]

公司动态 - 罗姆半导体将于2025年9月17日至19日参加在班加罗尔国际展览中心举行的electronica India 2025展会 [1] - 公司将在H3-E25展位重点展示其最新的碳化硅和氮化镓技术 [1] - 展品还包括面向工业设备和汽车LED驱动器的电源IC等模拟解决方案 [1] 参展产品与技术亮点 - 首次亮相在“印度制造”计划下本地共同开发的参考设计 支持更快的原型制作和针对特定区域的设计优化 [9] - 展示完整的氮化镓参考设计产品线 功率范围从45W到5.5kW 包括紧凑型AC适配器、图腾柱PFC设计和服务器电源 [9] - 推出用于EV牵引逆变器的TRCDRIVE pack™模塑碳化硅模块 [9] - 展示新的2合1、4合1和6合1模塑碳化硅模块 提供紧凑且成本优化的驱动解决方案 [9] - 通过实用的三相逆变器板演示TO-247分立碳化硅MOSFET 用于经济型牵引系统 [9] 市场战略与定位 - 公司认为electronica India 2025是展示其先进功率半导体实际应用的理想平台 [2][12] - 利用本地设计专业知识以及与印度市场领先企业的紧密合作 支持印度向更可持续和高效的电子技术过渡 [2] - 公司在印度深度投入本地创新 通过其技术团队和战略合作伙伴网络积极参与设计、参考开发和协作工程 [8] 品牌与解决方案 - 展示其Power Eco Family统一品牌概念 汇集了关键的功率器件产品线 [4] - 展台提供现场演示、实际应用案例和动手评估板 [4]

文章核心观点 随着人工智能发展，数据中心基础设施需同步演进，罗姆作为功率半导体技术领导者，为英伟达新800V高压直流（HVDC）架构提供关键硅技术支持，助力更高效、可扩展和可持续的人工智能工厂建设 [1] 公司产品组合 - 公司功率器件组合涵盖硅和宽带隙技术，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），为数据中心设计师提供战略路径 [2] - 公司硅MOSFET已广泛应用于汽车和工业领域，能平衡价格、效率和可靠性，适合人工智能基础设施发展过渡阶段 [2] 公司产品案例 - RY7P250BM是一款100V功率MOSFET，获全球主要云服务提供商认可，专为48V电源系统热插拔电路设计，可降低功率损耗、提高系统可靠性 [3] 公司产品与英伟达架构契合点 - 公司SiC器件在工业级低损耗整流方面表现出色，契合英伟达大规模部署800V HVDC数据中心架构以驱动1MW计算机架及以上的计划 [4] - 公司SiC MOSFET在高压、高功率环境中性能优越，能降低开关和传导损耗，提高效率，与英伟达800V HVDC架构要求完美契合 [5] 公司氮化镓技术进展 - 公司以EcoGaN™品牌推进氮化镓技术，在100V至650V范围内性能卓越，其专有纳米脉冲控制技术可进一步改善开关性能 [6] 公司高功率模块情况 - 公司提供一系列高功率SiC模块，如HSDIP20，适用于英伟达架构中的集中式电源系统，具备强大热性能和可扩展性 [7] 公司合作态度 - 公司致力于与英伟达等行业领导者、数据中心运营商和电源系统设计师密切合作，为下一代人工智能工厂提供基础硅技术 [8]