最 下方 "在看"和" "并分享，"关注"材料汇 添加 小编微信 ，遇见 志同道合 的你 延伸阅读： 磷化铟（InP）是第二代III-V族化合物半导体核心材料 磷化铟凭借饱和电子漂移速率高、发光传输损耗偏低的特性，在光电芯片衬底原料中形成独特竞争优势， 自此磷化铟在光通信赛道开启商业化落地，成 为光模块内部半导体激光器、接收器的关键制备原料。 除此之外，依托高频低噪声、击穿电压较高的材料特点，伴随高压大功率器件应用频次提升， 2010年之后磷化铟逐步投入雷达激光器件、射频器件的生产环节。 重磅收官 | 2026中国新材料产业全景报告（100页完整版PPT） 【收藏】2026全球AI算力与半导体材料产业发展趋势深度分析报告（附下载） 更多报告欢迎加入材料汇知识星球 正文 内容摘要 磷化铟制备依赖高纯铟、高纯磷，原料均为稀缺品种 1）高纯铟： 铟作为典型的稀散金属，兼具稀缺性与伴生性 。原生铟是在加工提炼其他金属矿物时作为副产物产生，其供给资源天然受限，供给弹性很 小。目前， 中国作为铟最大的资源国，出口管制逐渐趋严 ，进一步制约铟的供给。同时磷化铟制备需使用6N级以上的高纯铟， 目前全球仅少量企业具 备高纯铟的 ...