涉及的行业与公司 * 行业：亚洲科技硬件 具体关注智能手机行业及其供应链 特别是内存和摄像头组件领域[1] * 公司：智能手机品牌商包括小米 传音 苹果 供应链公司包括内存制造商（如 美光 海力士 三星电子 KIOXIA）和摄像头供应商（如 舜宇光学 大立光）[1][3][6][42] 核心观点与论据 内存价格走势及其驱动因素 * 受AI需求强劲驱动 内存价格自2025年第二季度起进入强劲上升周期 预计2025年第四季度移动DRAM合约价格将环比上涨30-40% NAND价格预计环比上涨高个位数百分比[2] * 供应商态度坚决 预计供应紧张将持续整个2026年 价格涨势可能延续至2026年上半年 幅度与2025年第四季度相似或略缓[2] 内存价格上涨对智能手机品牌商的影响 * 影响程度因产品定位而异：内存成本占iPhone ASP约4% 占小米旗舰机型ASP约7% 但占红米等中低端机型ASP超过10%[3][16] * 对小米而言 内存价格上涨40%可能导致其智能手机毛利率下降2-3个百分点 公司可能将部分成本转嫁给消费者 但可能影响销量 其高端化战略（如小米17系列出货量增长30% 其中80%为Pro和Pro Max型号）可部分抵消此压力[3] * 历史相关性：在上一个内存下行周期（2022年下半年至2023年上半年） 小米和传音的毛利率有所扩张 而在内存上行周期（2023年第四季度至2024年第二季度）则面临毛利率压力 变化存在约一个季度的滞后[17] 内存价格上涨对摄像头供应商的影响 * 内存价格周期与摄像头镜头公司利润池的相关性较低 但对摄像头模组公司有延迟影响 镜头市场集中度更高 技术门槛更高 因此受内存价格波动影响较小[3][42] * 摄像头行业的利润池更多取决于摄像头规格升级 智能手机需求和竞争格局[3][42] * 当前内存上行周期预计将对2025年中低端安卓机型的摄像头预算产生负面影响（如规格升级延迟 ASP重新谈判） 但对高端安卓机和苹果供应链影响甚微[3][44][45] * 苹果供应链更为安全 因其供应商的毛利率更依赖于竞争动态（如Cowell份额提升）和规格升级（如潜望镜采用）而非内存价格[43] 对舜宇光学的具体分析与投资观点 * 看跌情景分析：假设智能手机业务收入零增长 高端产品（占模组收入30%以上 占镜头收入45%以上）盈利能力稳定 其他产品面临利润率压力 预计2026年营收和EPS分别增长6%和1% 较市场共识低8%和11%[4][65] * 基于此看跌情景 应用22倍市盈率（低于历史平均23倍）对2026年人民币3.4元的EPS 目标价为82港元 仍有约25%上行空间[4][65] * 尽管短期市场因中国补贴退坡和内存价格上涨而不看好安卓供应链 但认为对舜宇光学的担忧过度 建议在2026年3月下次财报发布前逢低吸纳[4][65] 其他重要内容 * 投资建议：给予舜宇光学 小米 联发科 三星电子 海力士 美光"跑赢大市"评级 给予大立光"与大市同步"评级 给予KIOXIA"跑输大市"评级[7][8][9][10][11][12][13][14] * 智能手机市场背景：非iPhone智能手机市场自2010年代末期已饱和 出货量受华为禁令 5G普及 COVID-19和AI手机渗透等事件影响而波动[17] * 小米高端化进展：在中国市场 售价高于人民币4000元的小米手机出货量占比从2022年9月的7%显著提升至2025年9月的25% 平均售价从2022年第三季度低于2000元提升至2025年第三季度的2500元[33][34]

行业与公司 * 纪要涉及的行业是中国半导体行业，特别是高带宽内存和半导体设备领域[1][2] * 涉及的公司包括半导体设备供应商AMEC Naura ACMR Accotest，晶圆代工厂SMIC和Hua Hong，以及半导体公司Cambricon Horizon Robotics Omnivision[2] 中国HBM发展的挑战与技术差距 * 系统级验证是中国发展先进HBM的主要困难之一，需要时间测试和改进产品的良率、质量和可靠性，全球领先的HBM厂商通常需要数月时间与下游GPU客户进行验证[3][4] * 中国DRAM供应商主要专注于1z到1a技术，而韩国厂商已进入1b并将迁移至1c，中国厂商已量产HBM2，而韩国公司正在研发HBM3E/HBM4，更高的堆叠层数和更大的芯片尺寸使得实现高良率变得困难[10] * 专家认为中国供应商与韩国领先企业在DRAM上存在数年技术差距，在HBM上的差距更大[10] * 高K金属栅工艺和用于极薄层的原子层沉积在向DDR5迁移过程中至关重要，受设备限制，中国厂商生产DDR5的成本更高，难以在全球市场获得定价优势，但中国DRAM将在中国市场被采用[12] HBM技术演进与内存定价周期 * 从HBM3到HBM4的关键升级包括更先进的技术节点（迁移至11纳米即1c）和引脚速率提升（目标达到每秒11Gb），这涉及更薄的高K金属栅和具有挑战性的I/O设计问题[13] * 内存厂商因HBM需求更高而选择将更多产能分配给HBM生产，导致传统内存产品产量降低，HBM4的定价将是影响传统DRAM定价策略的关键因素，如果HBM价格上涨不及预期，厂商会将产能转回传统产品[15] 中国半导体资本支出与市场前景 * 对中国半导体资本支出持积极看法，受国内AI技术进展和半导体需求增长驱动，预计中国本土内存供应商将持续扩产并迁移至更先进产品[2] * 预计中国半导体资本支出在2025-2030年将保持高位，达到430亿至460亿美元[19] * 预计中国晶圆厂设备市场将在2026年达到410亿美元，沉积、刻蚀和光刻是最大的市场板块[20][21] * 预计中国供应商在中国WFE收入中的份额将从2024年的17%增长到2027年的36%[24][25] * 预计中国供应商将捕获中国半导体需求价值的21%（2025年）至37%（2030年）[26][27] 中国半导体设备供应商进展 * 中国半导体设备供应商正在扩大产品覆盖范围并进军更先进的工艺节点，例如AMEC计划在2025年交付90:1高深宽比刻蚀设备，并研发PVD设备，其KrF Track样品机进入客户评估阶段[16] * 多家设备商在沉积、刻蚀、量测等关键设备领域取得进展，逐步向14纳米等更先进工艺渗透[16]