论坛活动概况 - 2025异质异构集成前沿论坛暨甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台验证线通线仪式于11月18-19日在宁波举行 [3] - 论坛吸引了国内外相关领域的龙头企业和科研机构参会，围绕前沿成果、技术趋势和关键挑战进行深入交流 [3] - 11月19日上午举行了Micro LED异质集成微显示论坛 [5] 工艺与材料技术发展 - 未来工艺优化方向包括极限厚度减薄到3-5微米，极限TTV小于0.5微米，并拓展其他功能半导体晶圆减薄材料 [8] - 持续攻关硅芯片晶圆如柔性硅衬底、功率/射频芯片性能提升，厚膜/特种SOI、硅基传感器应用 [8] - 开发铌酸锂/钽酸锂材料用于压电传感器、热释电红外探测器、压电扬声器等器件 [8] - GaN-on-Si外延技术面临熔蚀刻蚀法产量低、17%的氮化镓与硅晶格不匹配、晶圆翘曲与裂纹等挑战 [21] Micro LED与显示技术进展 - 溢彩芯光已完成量子点光刻胶、大尺寸GaN外延片、双色/全彩Micro LED微显示芯片研发，正在进行中试放大 [10] - 高稳定性、高转光效率是量子点在应用中面临的最主要挑战 [10] - 紫外LED光通信具有保密性能好、适应复杂环境等特点，但器件效率较低和传输距离过短是当前主要问题 [12] - 无损Micro-LED技术路线可彻底解决材料损伤问题及其带来的量产难题 [14] - 混合键合是半导体异质集成的最佳桥梁，实现Micro-LED光与电的芯片级互联 [14] 制造与封装能力 - 慕德微纳具备一站式光波导后道制程能力，可多工艺路线实现贴合和涂墨 [16] - 通过质量策划、控制、改进全方位管控产品关键特性，确保外观、表面洁净度、尺寸精度等参数质量 [16] - 基于玻璃基板优秀机械性能和先进封装制程能力，重新定义MLED单板尺寸，减少拼缝，提升视觉感受 [17] - 可实现单板尺寸从15英寸进阶到18英寸再到27英寸，搭配专属巨量转移设备，重点对应P0.3~P0.9近距离应用场景 [17] 芯片性能与成本优势 - 芯元基晶圆重构GaN Die产品具备低位错密度+无损化学剥离带来的性能优势，大幅提高产品均匀性、亮度和可靠性 [19] - 晶圆重构可使GaN利用率达到90%以上，有较大成本优势，大大提高量产效率 [19]