文章核心观点 - 华中科技大学发布大规模仪器设备采购意向，涉及32项设备品目，预算总额高达2.71亿元[1][2] - 采购计划时间跨度为2025年1月至11月，显示出公司在科研基础设施方面的长期投入规划[2] - 采购清单高度集中于半导体制造、先进材料研发及清洁能源技术相关的高端设备[3][5][8] 半导体工艺设备采购 - 计划采购8英寸介质刻蚀机，预算450万元，要求晶圆尺寸8英寸向下兼容，片内不均匀性<5%，刻蚀形貌85°±5°[3] - 采购晶圆键合机1台，预算490万元，支持4、6、8英寸晶圆，键合压力Max 100KN，键合温度550℃（可配至650℃）[3] - 采购中束流注入机，预算2000万元，注入能量5-300keV，注入剂量5E11~1E17/cm²可控，最高注入温度550℃[8] - 采购原子层沉积设备，预算450万元，兼容8英寸及以下晶圆，配备3路液源、4路热源，膜厚均匀性≥99%[8] - 采购电子束蒸发镀膜设备，预算860万元，支持6寸和8寸晶圆，电子束蒸发源功率10KW，真空极限压力3.0×10⁻⁵ Pa[8] 薄膜沉积与刻蚀技术 - 采购氧化物电介质磁控溅射仪，预算203万元，用于Al₂O₃、Ta₂O₅、HfO₂等电介质薄膜材料生长，配置8英寸磁控溅射靶3套[3] - 采购等离子体辅助化学气相沉积仪（PECVD），预算280万元，用于6/8英寸氧化硅、氮化硅等薄膜沉积工艺[8] - 采购溅射台，预算高达2200万元，基材尺寸可达Φ200mm，最多可配备5个处理室，支持基板加热和同步沉积[8] - 采购HF气相刻蚀机，预算480万元，兼容200mm和300mm晶圆，批量大小可达10片晶圆[8] - 采购Trench深硅刻蚀机，预算1170万元，刻蚀速度10um/min，最大选择比94:1，刻蚀均匀性±3%[8] 清洁能源与碳捕集技术 - 采购化学链燃烧源头碳捕集子系统，预算6940万元，系统热功率2MWth，主要燃料为煤，可兼容生物质燃料[5] - 该系统包含多功能可变串行流化床单元、能量梯级利用单元和多参数协同测量与控制单元三个主体装备[5] - 设备交货期为合同签订后8个月内，质保期所有硬件三年免费保修、所有软件一年免费保修升级[5] 晶圆处理与检测设备 - 采购RCA清洗机，预算680万元，支持6~12寸晶圆片清洗，每批处理25/50片[8] - 采购湿法刻蚀机2台，预算220万元，可定制酸槽和管路数量，匹配超声、抖动、旋转等多种功能[8] - 采购傅里叶变换红外显微镜，预算110万元，光谱范围28000-15cm⁻¹，分辨率优于0.085cm⁻¹，信噪比高于60000:1[8] - 采购全真空型傅里叶变换红外光谱仪，预算140万元，测试范围10-10000 cm⁻¹，光谱分辨率0.5-4 cm⁻¹[8] 配套设备与基础设施 - 采购Scrubber尾气处理系统，预算450万元，处理容量600LPM，可处理CHF₃、SF₆、DCS等多种工艺气体[10] - 采购特殊气体供气系统，预算1800万元，包含全自动气柜18台、全自动气架12台、阀门分配箱30台等组件[10] - 采购PM清洗系统，预算380万元，包含半自动部件湿式清洗机2台，支持超声波、药液加热、N₂ bubble等清洗方式[10]