专利技术 - 公司申请了一项名为"一种双面选择性钝化接触结构太阳能电池及其制备方法"的专利，公开号CN120344020A，申请日期为2025年04月 [1] - 专利技术通过高温硼扩散和PECVD原位掺杂方式在硅片正反面形成掺硼P型多晶硅层和掺磷N型多晶硅层，实现选择性钝化接触结构 [1] - 该技术采用PECVD原位技术和机械掩膜方式实现多晶硅叉指状栅线图形，可降低接触电阻，提高开路电压、短波响应和转换效率 [1] 公司背景 - 公司成立于2007年，位于深圳市，主要从事专用设备制造业，注册资本34771.3586万人民币 [2] - 公司对外投资了16家企业，参与招投标项目87次，拥有商标信息11条，专利信息495条，行政许可70个 [2]