AI服务器电源技术发展 - 2024年纳微推出GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代碳化硅MOSFETs，意法半导体推出新型硅光技术PIC100，英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400V，共同提升AI服务器电源功率密度 [1] - 电源功率密度持续攀升对被动元器件提出小型化、大容量、高可靠性要求，永铭与合作伙伴深度配合开发高性能电容器解决方案 [1] 永铭与纳微的合作 - 永铭开发高压牛角型铝电解电容IDC3系列，成功应用于纳微4.5kW、8.5kW高密度AI服务器电源方案 [3] - IDC3系列通过12项技术革新，满足AI服务器电源对空间与性能的严苛需求 [7] IDC3牛角电容核心优势 - 高容量密度：同规格产品体积较国际头部同行缩减25%-36%，解决AI服务器电源空间不足问题 [8] - 耐大纹波电流：纹波电流承载值较常规产品提升20%，ESR值降低30%，温升更低，可靠性更高 [9] - 长寿命：105℃高温环境下寿命达3000小时以上，适合不间断运行的AI服务器场景 [11] IDC3电容规格与应用场景 - 适用场景：高功率密度、小型化的AI服务器电源方案 [13] - 产品认证：获得AEC-Q200认证及第三方国际机构可靠性认证 [13] 行业展望 - IDC3系列在纳微4.5kW、8.5kW AI服务器电源方案中的成功应用，验证永铭在高能量密度与小型化设计领域的技术实力 [15] - 永铭将继续深耕电容技术，为12kW乃至更高功率AI服务器电源时代提供支持 [15]