公司融资与基本情况 - 镓创未来半导体科技（晋江）有限公司近期完成千万级天使轮融资，投资方包括聚卓资本、晋江人才科创基金、芯丰泽半导体及个人投资人，资金将用于提升外延片产能和加速第四代半导体材料产业化 [1] - 公司成立于2025年7月，专注于第四代超宽禁带半导体材料氧化镓外延片的研发与产业化，创始团队均为微电子学与固体电子学博士，在宽禁带半导体领域有近10年研究经验 [1] - 公司核心产品为氧化镓外延片系列，包括同质及异质外延片，涵盖蓝宝石基、碳化硅基和硅基产品线，已与二十余家科研机构合作，并与多家半导体客户签订采购合同 [1] 氧化镓材料性能优势 - 氧化镓作为第四代半导体材料，拥有4.9eV的超宽禁带宽度，远超碳化硅的3.3eV和氮化镓的3.4eV，其临界击穿电场高达8MV/cm，是碳化硅的3倍多 [2] - 氧化镓的巴利加优值达到3444，分别是氮化镓的4倍和碳化硅的10倍，这意味着其在功率器件应用中具有极低的导通损耗，功率损耗仅为碳化硅的1/7、硅的1/49 [2] - 材料性能优势对提升新能源汽车、光伏逆变器等领域的能源转换效率有重大意义，其日盲紫外波段响应特性填补市场空白，并有望拓展3000V以上超高压应用场景 [2] 氧化镓产业化挑战 - 氧化镓衬底生长需使用铱坩埚，贵金属成本高导致国产2英寸氧化镓衬底价格高达2万元左右，是同尺寸碳化硅价格的40余倍，严重制约产业化进程 [3] - 外延产业尚属早期，现有产品存在尺寸小、厚度薄、迁移率低等问题，影响产品成本、集成度、耐压可靠性和能效，同时p型掺杂技术和材料热导率低是行业公认难题 [3] 公司技术路径与突破 - 公司采用异质外延技术路线，在碳化硅、蓝宝石、硅等成熟商业化衬底上生长氧化镓，将材料成本降低10倍以上 [5] - 公司自主研发HVPE设备，实现大尺寸、厚膜、高迁移率异质外延片的稳定生产，并在宽掺杂浓度范围等关键性能指标上取得突破 [5] - 通过自研设备与异质外延技术结合，公司不仅解决技术难题，还实现成本大幅降低 [6] 市场应用与公司发展策略 - 氧化镓器件应用涵盖电力电子与光电探测两大领域，包括新能源汽车快充桩、光伏逆变器、电网监测、消防预警等场景 [8] - 公司重点聚焦高价值赛道，功率器件端主攻新能源汽车800V以上高压平台及AI数据中心电源，光电器件端聚焦日盲紫外探测、深紫外光源等应用 [8] - 据富士经济预测，2030年氧化镓功率元件市场规模将达到碳化硅的36%，甚至超过氮化镓功率元件规模 [8] - 公司采取分阶段推进策略，初期服务高校科研院所，后续拓展器件设计公司和IDM厂商合作，最终目标规模化进入新能源汽车、工业电源等主流市场 [8] - 公司一期项目已于2025年7月启动，在晋江集成电路产业园落成超净间，用于氧化镓同质和异质外延产品的批量生产 [9]