铠侠停产计划 - 公司计划停止生产其**2D NAND**和**第三代BiCS 3D NAND**闪存，并将终结**平面NAND闪存**的生产 [2] - 停产遵循标准的多年期**EOL（产品生命周期结束）计划**：最后购买订单接受至**2026年9月30日**，最终出货持续至**2028年12月31日**，此后这些产品将彻底停产 [4] 停产产品范围与技术细节 - 停产产品涵盖一系列**传统NAND**，包括基于**32nm（SLC，自2009年量产）、24nm（MLC，自2010年量产）和15nm（MLC和TLC，自2014年量产）** 工艺节点的平面浮栅NAND，以及早期**64层BiCS3 3D NAND（约2017年发布）** [4] - 停产涵盖所有主要单元类型——**SLC、MLC和TLC**，并几乎涵盖所有交付形式，包括裸晶圆和封装解决方案（例如BGA、TSOP、eMMC、UFS和SD卡），表明公司将全面淘汰旧技术平台 [4] 行业历史与影响 - **平面NAND闪存**是3D NAND闪存的前身，自**20世纪80年代**以来一直在生产 [4] - 铠侠停止生产2D NAND将标志着**平面NAND存储器**的终结，该类型存储器最早于**1987年**左右在东芝投入生产，并将于**41年后**的**2028年**由其继任者铠侠停止生产 [4] - 如今，**2D NAND**主要用于**传统设备**，包括汽车、消费电子、嵌入式和工业应用，以及一些具有较长生命周期的专用存储设备 [5] 公司技术战略转向 - 此次停产标志着公司退出**传统的平面NAND和早期BiCS工艺**，转而投身**更先进的3D NAND工艺** [4]