金属卤化物钙钛矿LED研究突破 核心观点 - 金属卤化物钙钛矿是下一代LED的有前景的发光材料候选者 纯红色钙钛矿发光二极管（PeLED）在同时实现高亮度和高效率方面存在性能瓶颈[2] - 研究团队揭示了性能瓶颈的原因并成功制备出高性能纯红光钙钛矿LED 通过开发内晶粒异质结构解决了效率滚降问题[2][4] 技术突破 - 采用电激发瞬态吸收光谱技术（EETA）发现效率滚降由空穴泄漏导致 在此基础上开发了含窄带隙发射体和宽带隙势垒的CsPbI3-xBrx内晶粒异质结构以限制注入载流子[4] - 通过将强键合分子引入[PbX6]4−框架 在三维CsPbI3-xBrx晶格中引入宽带隙势垒[4] 性能指标 - 制备的纯红色PeLED亮度高达24600坎德拉/平方米 相比之前报道的纯红光三维钙钛矿LED提升3倍[4] - 峰值外量子效率（EQE）达24.2% 与顶级OLED水平相当 在22670坎德拉/平方米高亮度下仍能保持10.5%的外量子效率[4] 研究团队 - 中国科学技术大学姚宏斌、樊逢佳、林岳、胡伟与中国科学院上海高等研究院郑官豪杰作为共同通讯作者 研究成果发表于Nature期刊[2]