LG电子开发HBM混合键合设备项目 - LG电子正在开发用于高带宽存储器（HBM）的混合键合堆叠设备（键合机）的早期版本 [1] - 该项目获得多方支持，Justem公司参与其中并负责开发该套件的系统 [3] - LG电子生产工程研究所（PRI）于2023年6月正式启动该项目 [3] 项目当前进展与测试 - 项目已产出用于内部测试的原型alpha版本 [3] - 项目当时正处于概念验证阶段，团队正有条不紊地开展各项测试工作 [3] - 混合键合工艺的测试是重点之一，团队使用模块和键合头进行相关测试，力求优化工艺并确保设备性能达到预期 [3] 项目规划与潜在挑战 - 该项目计划于2029年完成 [3] - 项目目标精度设定为200纳米 [3] - 该目标精度与Besi公司已实现商业化的100纳米精度存在差距 [3] - 基于精度差异，该键合机在三年后推出时可能在HBM领域竞争力不足 [3]