会议概况 - 第45届VLSI技术与电路研讨会将于2025年6月8日至12日在日本京都举行，主题为"培育超大规模集成电路花园：从创新种子到蓬勃发展"，聚焦先进技术、电路设计及智能互联设备应用转型 [1][2] - 会议共录用常规论文251篇（含1篇Late News），其中技术组104篇、电路组141篇，另有12篇邀请论文和4篇全体报告 [2] - 论文录用数量国家/地区排名：美国57篇（第一）、韩国54篇（第二）、中国大陆52篇（第三）、中国台湾23篇（第四）、日本20篇（第五） [2] 关键技术突破 CMOS工艺 - 英特尔18A平台采用RibbonFET和PowerVia技术，相比intel 3工艺性能提升25%（1.1V电压下），功耗降低36%，面积缩小0.72倍；低压（0.75V）下性能提升18%，功耗降38% [4] - 英特尔18A将HP库单元高度从240CH降至180CH，HD库从210CH降至160CH，垂直尺寸缩减25% [5] - 台积电展示1.2nm等效栅氧化层厚度的背栅PMOS器件，导通电流达400µA/µm，亚阈值摆幅72mV/dec，导通/关断比7个数量级 [9] 存储技术 - 三星推出286层第九代3D-NAND闪存，位密度比上代提升50% [15] - 华为展示32Mb容量1T1C 3D HZO FeRAM测试芯片，采用40nm CMOS平台7nm厚HZO薄膜，数据保存时间10年，125°C下存储窗口保持200mV [17] - 美光第二代铁电NVDRAM实现41nm间距、5nm铁电堆栈厚度，1E10次循环后电压窗口>250mV [18][19] - 台积电演示BEOL存储器与逻辑单片集成技术，密度高于SRAM [20] 图像传感器 - 索尼10μm间距背照式SPAD深度传感器在940nm波长下光子探测效率达42.5% [25] - 索尼LiDAR方案实现25M点/秒测距能力，250米距离可检测25cm物体 [27][28] - 北京大学22nm FDSOI图像传感器光敏度达5x105 A/W，支持1000fps成像 [33] 创新应用与系统 - 英特尔基于18A工艺的128Gb/s发射器实现0.67pJ/bit能效，满足PAM-4标准 [57][58] - 加州大学伯克利分校异构SoC MAVERIC峰值能效达8 TOPS/W，支持1GHz运行频率 [53] - 东京科学研究所6G相控阵收发器IC在150GHz频段实现56Gb/s传输速率，单天线路径功耗发射150mW/接收93mW [55] - 韩国KAIST神经视频处理器NuVPU能效达36.9 TOPS/W，比前代提升9.2倍 [43] 行业领袖观点 - SK海力士CTO指出DRAM技术面临10nm后转折点，需创新单元方案应对AI需求 [61] - 英伟达副总裁强调VLSI需从材料到系统全方位创新以支持AI发展 [61][62] - 联发科高管认为生成式AI推动计算/存储/连接技术投资，需解决能效与工程复杂性挑战 [63] - 意法半导体提出边缘AI将结合情境感知与生成智能，推动更可持续的解决方案 [64]