VLSI 2025研讨会概况 - 第45届VLSI技术与电路研讨会将于2025年6月8日至12日在日本京都举行，主题为"培育超大规模集成电路花园：从创新种子到蓬勃发展"，聚焦先进技术整合与智能互联设备转型 [2] - 论文录用情况：共251篇常规论文（含1篇Late News），其中技术组104篇、电路组141篇，另有12篇邀请论文和4篇全体报告 [2] - 国家/地区论文排名：美国57篇（第一）、韩国54篇（第二）、中国大陆52篇（第三）、中国台湾23篇（第四）、日本20篇（第五） [2] - 华为展示采用7nm厚HZO薄膜的1T1C 3D FeRAM测试芯片，具有10年数据保存能力和125°C高温稳定性 [2][18] 先进CMOS技术突破 - 英特尔18A工艺采用RibbonFET和PowerVia技术，相比intel 3工艺性能提升25%（1.1V电压）、功耗降低36%，在0.75V低压下性能仍提升18% [4][5] - 台积电开发1.2nm等效栅氧化层厚度的背栅PMOS器件，导通电流达400 µA/µm，亚阈值摆幅72 mV/dec [10] - 东京大学利用ALD工艺生长晶体InGaOx材料，迁移率显著提升并实现常关操作纳米片晶体管 [15] - 三星与佐治亚理工学院合作开发IWO沟道MOSFET，导通电流244 μA/μm，EOT缩小至0.3纳米 [16] 存储技术进展 - 三星推出286层第九代3D-NAND闪存，位密度提升50% [16] - 美光第二代铁电NVDRAM实现41纳米间距和5纳米铁电堆栈，1E10次循环后仍保持250mV窗口 [19][20] - 台积电演示BEOL存储器与逻辑单片集成技术，密度高于SRAM [21] - 台积电3nm FinFET高密度6T SRAM实现功耗降低17%、待机漏电降低10% [23][24] 图像传感器创新 - 索尼10微米间距背照式SPAD深度传感器在940nm波长下光子探测效率达42.5% [26] - 索尼LiDAR方案实现25M点/秒测量速率，300米距离精度17厘米 [28][29] - 佳能汽车用SPAD传感器实现156dB动态范围和0.1勒克斯低光捕捉 [31] - 北京大学22nm FDSOI图像传感器光敏度达5x105 A/W，支持1000fps高速成像 [34] 其他领域技术亮点 - 北京大学等团队开发癫痫检测加速器PANDA，灵敏度99%且能效3.178 TOPS/W [37] - imec推出3D类器官接口微电极阵列，输入参考噪声仅9.1µVrms [39] - 东京大学14位560MS/s ADC实现72.14dB SNDR和176.7dB Schreier FoM [41][42] - 英特尔18A工艺128Gb/s发射器能效0.67pJ/bit，满足PAM-4标准 [58][59] 行业领袖观点 - SK海力士CTO指出DRAM技术面临10nm后转折点，需创新单元方案应对AI需求 [62] - 英伟达副总裁强调AI时代需全方位VLSI创新，从材料到系统层级 [62] - 联发科高管探讨生成式AI对半导体设计的挑战，强调能效与异构集成 [62] - 意法半导体提出边缘AI需结合情境感知与生成智能技术 [63]

会议概况 - 第45届VLSI技术与电路研讨会将于2025年6月8日至12日在日本京都举行，主题为"培育超大规模集成电路花园：从创新种子到蓬勃发展"，聚焦先进技术、电路设计及智能互联设备应用转型 [1][2] - 会议共录用常规论文251篇（含1篇Late News），其中技术组104篇、电路组141篇，另有12篇邀请论文和4篇全体报告 [2] - 论文录用数量国家/地区排名：美国57篇（第一）、韩国54篇（第二）、中国大陆52篇（第三）、中国台湾23篇（第四）、日本20篇（第五） [2] 关键技术突破 CMOS工艺 - 英特尔18A平台采用RibbonFET和PowerVia技术，相比intel 3工艺性能提升25%（1.1V电压下），功耗降低36%，面积缩小0.72倍；低压（0.75V）下性能提升18%，功耗降38% [4] - 英特尔18A将HP库单元高度从240CH降至180CH，HD库从210CH降至160CH，垂直尺寸缩减25% [5] - 台积电展示1.2nm等效栅氧化层厚度的背栅PMOS器件，导通电流达400µA/µm，亚阈值摆幅72mV/dec，导通/关断比7个数量级 [9] 存储技术 - 三星推出286层第九代3D-NAND闪存，位密度比上代提升50% [15] - 华为展示32Mb容量1T1C 3D HZO FeRAM测试芯片，采用40nm CMOS平台7nm厚HZO薄膜，数据保存时间10年，125°C下存储窗口保持200mV [17] - 美光第二代铁电NVDRAM实现41nm间距、5nm铁电堆栈厚度，1E10次循环后电压窗口>250mV [18][19] - 台积电演示BEOL存储器与逻辑单片集成技术，密度高于SRAM [20] 图像传感器 - 索尼10μm间距背照式SPAD深度传感器在940nm波长下光子探测效率达42.5% [25] - 索尼LiDAR方案实现25M点/秒测距能力，250米距离可检测25cm物体 [27][28] - 北京大学22nm FDSOI图像传感器光敏度达5x105 A/W，支持1000fps成像 [33] 创新应用与系统 - 英特尔基于18A工艺的128Gb/s发射器实现0.67pJ/bit能效，满足PAM-4标准 [57][58] - 加州大学伯克利分校异构SoC MAVERIC峰值能效达8 TOPS/W，支持1GHz运行频率 [53] - 东京科学研究所6G相控阵收发器IC在150GHz频段实现56Gb/s传输速率，单天线路径功耗发射150mW/接收93mW [55] - 韩国KAIST神经视频处理器NuVPU能效达36.9 TOPS/W，比前代提升9.2倍 [43] 行业领袖观点 - SK海力士CTO指出DRAM技术面临10nm后转折点，需创新单元方案应对AI需求 [61] - 英伟达副总裁强调VLSI需从材料到系统全方位创新以支持AI发展 [61][62] - 联发科高管认为生成式AI推动计算/存储/连接技术投资，需解决能效与工程复杂性挑战 [63] - 意法半导体提出边缘AI将结合情境感知与生成智能，推动更可持续的解决方案 [64]