三星电子4nm HBM4内存逻辑芯片进展 - 三星电子在4nm制程HBM4内存逻辑芯片的初步测试生产中取得40%良率，显著高于一般10%的起点和此前同制程不足20%的水平 [2] - 40%的初期良率表明4nm HBM4逻辑芯片开发具备较为稳定的基础，未来有望随制造成熟度提升而进一步提高 [4] 三星电子HBM市场竞争态势 - 公司在HBM3时期遭遇重大挫折，将70%的HBM内存市场份额让给SK海力士，并失去第一大DRAM原厂地位 [4] - 为挽回局面，三星在HBM4上采取激进技术路线，计划采用12Hi堆叠结构，结合1c nm DRAM和4nm逻辑芯片 [4] 三星1c nm DRAM开发挑战 - 自1z nm时期出现的电容漏电问题持续影响1c nm DRAM开发量产，导致稳定性未达预期 [4] - 公司尝试通过放宽线宽等方式改进电容器表现，但进展可能因此拖慢 [4] 技术路线规划 - HBM4产品将采用12Hi堆叠结构，其中逻辑芯片端进展顺利，但DRAM端面临技术挑战 [4]