报告行业投资评级 - 看好（维持）[3] 报告的核心观点 - 国内存储龙头长鑫科技拟 IPO 并接受上市辅导，利好半导体全产业链，其有望通过上市融资实现业务扩张，利好产业链上下游[6] - 长鑫存储 2025 年预计产能同比增长近 50%，产能扩充利好上游半导体设备和材料产业链，到年末其按比特出货量计市占将从一季度的 6%提升到 8%，DDR5 / LPDDR5 市场份额预计从一季度 1%左右分别提升到 7%和 9%[6] - 存储行情景气度持续，中国大陆利基 DRAM 厂商凭借强大供应链能力加速成长，存在预期差，CFM 闪存市场预计三季度 LPDDR4X 环比大幅上涨 20%以上，兆易创新等中国大陆厂商有望在本轮利基 DRAM 代际更迭中取得更广阔市场空间[6] - 建议关注半导体设备和材料领域的北方华创、盛美上海、中微公司等，以及存储产业链的兆易创新、北京君正、东芯股份等[6] 根据相关目录分别进行总结 行业动态 - 先进存储和逻辑产能扩张持续，半导体设备有望国产化加速[5] - 利基 DRAM 供需格局重塑中，行情景气度持续[5] - 美拟收紧半导体技术豁免，利好本土产业链[5] 投资建议与投资标的 - 作为中国大陆 DRAM 产业链核心企业，长鑫科技拟 IPO 有望全面利好半导体产业链，建议关注相关企业[2][6]

医药行业 - 阳光诺和自研新药STC007研发进展领先，主业稳健，25年营收较24年增速不低于10%，归母净利润2024 - 2026年分别为177、213、256百万，增速为 - 4%、20%、20%[1] 家电行业 - 九号公司两轮业务25年推新拓店有望高增，EBIKE开始贡献，2024 - 2026年归母净利润分别为1084、1789、2509百万，增速为81%、65%、40%[1] 农业行业 - 牧原股份成本行业最低，2025年销量高速增长，2025Q1盈利近45亿，3月成本降至12.5元，2024 - 2026年归母净利润分别为17881、22459、20068百万，增速为519%、26%、 - 11%[1] 科技行业 - 美团外卖短期UE或受补贴影响，长期具履约和运营优势，闪购一季度多品类增长，2024 - 2026年归母净利润分别为38300、49774、61275百万，增速为 - 13%、30%、23%[1] 电子行业 - 精智达半导体设备营收规模2025年达5亿，是2024年2.4亿的2倍，2024 - 2026年归母净利润分别为80、177、235百万，增速为 - 31%、121%、33%[1] 电新行业 - 阳光电源系光储头部企业，25H1净利润高增，2024 - 2026年归母净利润分别为11264、12870、14361百万，增速为19%、14%、12%[1] 通信行业 - 广和通端侧AI领先，拟赴港上市，2024 - 2026年归母净利润分别为564、711、767百万，增速为55%、26%、8%[1] 机械行业 - 杭叉集团盈利水平提升，智能化无人叉车打开需求，参股公司中策橡胶6月初上市，2024 - 2026年归母净利润分别为2022、2235、2557百万，增速为18%、11%、14%[1] 化工行业 - 卫星化学油价预期企稳，三期四期成长空间大，2024 - 2026年归母净利润分别为6072、7601、9925百万，增速为27%、25%、31%[1] 有色行业 - 华友钴业钴价有望上涨，印尼湿法钴项目投产，镍板块扩产，2024 - 2026年归母净利润分别为4155、5234、5915百万，增速为24%、26%、13%[1]

重要市场新闻 - 5月份境内外汇供求总体平衡，跨境资金净流入330亿美元，其中货物贸易资金净流入保持较高水平，外资增持境内股票增加 [1] - 5月份银行结售汇转为顺差，企业个人结汇意愿稳定，购汇需求回落 [1] - 美股三大指数集体收跌，纳指跌0.91%，标普500跌0.84%，道指跌0.7% [1] - 大型科技股普跌，特斯拉跌近4%，苹果跌超1%，英特尔小幅上涨 [1] - 航空概念股跌幅居前，JetBlue跌近8%，美联航跌超6% [1] - 纳斯达克中国金龙指数跌1.77%，腾讯音乐跌超3%，哔哩哔哩跌超2% [1] - COMEX黄金期货跌0.37%报3404.8美元/盎司，白银期货涨1.97%报37.165美元/盎司 [2] - WTI原油期货涨4.28%报74.84美元/桶，布伦特原油期货涨4.4%报76.45美元/桶 [2] - 欧洲主要股指下跌，德国DAX30跌0.86%，法国CAC40跌0.63%，英国富时100跌0.44% [2] 行业掘金 稳定币 - 京东计划在全球主要货币国家申请稳定币牌照，目标降低跨境支付成本90%，提高效率至10秒内 [3] - 香港《稳定币条例》生效后将尽快处理牌照申请 [3] - 稳定币在跨境支付和外汇储蓄等金融活动中应用广泛，成为国际支付和资产储备的理想选择 [3] - 关注数字技术提供者、支付服务商及RWA探索企业，概念股包括兆日科技、天阳科技、拉卡拉 [3] 存储芯片 - 长鑫存储计划2025年底前交付HBM3样品，2026年量产，2027年开发HBM3E [4] - HBM3e预计占据2025年出货份额超90% [4] - 三星预计2025年下半年量产HBM4，2026年商业出货 [4] - 存储价格第二季已上涨，2025年上半年将先跌后涨 [4] - 概念股包括同有科技、朗科科技、强力新材 [4] 航天产业 - 我国成功实施梦舟载人飞船零高度逃逸飞行试验 [5] - 梦舟飞船可搭载最多7名航天员，性能达国际先进水平 [5] - 我国将研制发射空间站扩展舱段 [5] - 商业航天预计2025年市场规模突破2.5万亿元，未来五年复合增长率超20% [5] - 概念股包括天银机电、创意信息、振芯科技 [5] 避雷针 - 双飞集团股东顺飞投资拟减持不超过0.4123%股份，腾飞投资拟减持不超过0.5497%股份 [6] - 光库科技股东XL Laser拟减持不超过0.3211%股份 [6] - 禾盛新材多名高管拟合计减持不超过0.097%股份 [6] - 力星股份多名高管拟合计减持不超过0.74%股份 [7] - 亚士创能控股股东一致行动人1285.79万股股份可能被强制平仓，占公司总股本3% [7]

HBM市场整体情况 - 2024年整体HBM消耗量预计达6.47B Gb，年增237.2%，其中NVIDIA占62%，AMD占9%，其他业者占29% [1] - 2025年整体HBM消耗量预估上修至16.97B Gb，年增162.2%，主要因NVIDIA及AWS的AI芯片出货预估上修 [1] - 2024年HBM2e、HBM3、HBM3e贡献的消耗量成三足鼎立，HBM3e 8hi及HBM2e 8hi最多 [1] - 2025年HBM3e将成为消耗量大宗，尤以HBM3e 12hi最多 [1] NVIDIA - 2024年HBM需求总量预计6.47B Gb，占AI存储器市场显著比例，近期调整为6.55B Gb [2] - 2024年第四季度H200型号出货量预计包括B100/B200和GB200系列，单卡HBM容量达144GB [2] - 2025年HBM需求预计下降至2.53B Gb，HBM3e 12hi层版本占比64%，反映市场对更高容量和性能需求增长 [2] - 主要供应商为Samsung和SK hynix [2] AMD - 2025年MI300系列AI芯片总需求约0.20B Gb，MI350系列提升至0.37B Gb [3] - MI300X配备8hi层192GB容量和12hi层4堆栈配置，MI308升级至12hi层8堆栈 [3] - MI325扩展至12hi层8堆栈，单卡容量达288GB [3] - 主要依赖SK hynix和Samsung提供的HBM3e 8hi和12hi版本 [3] Google - 2025年HBM需求预计0.41B Gb，主要来源于TPU v5和v6版本的训练需求 [4] - TPU v5训练需求约0.47B Gb [4] - 配置包括HBM2e 8hi层6堆栈96GB容量和HBM3e 8hi层8堆栈192GB容量 [4] - 采用自研ASIC芯片和Broadcom提供的IC芯片作为配套方案 [5] AWS - 2025年HBM需求预估0.28B Gb，Trainium v2需求约0.20B Gb，v3需求约0.08B Gb [6] - 主要型号包括HBM3e 12hi层4堆栈144GB容量和12hi层6堆栈288GB容量 [6] - 主要依赖SK hynix和Samsung提供的HBM芯片，同时开发in-house ASIC芯片 [6] Intel - 2025年HBM需求占比约10%，主要集中在HBM3e版本 [7] - 主要供应商为SK hynix和Micron [7] - 正在探索自研芯片以减少对外部供应链依赖 [7]

HBM4生产成本上升原因 - 核心裸晶尺寸增加导致单位晶圆可产芯片数减少，I/O数量从HBM3E的1024个增至HBM4的2048个，直接扩大裸晶尺寸[2][3] - 基础裸晶转由晶圆代工厂生产，存储企业不再使用自家DRAM工艺，代工成本更高[4] - 制程复杂度提升，三星采用10nm第六代DRAM（1c DRAM），虽单位晶圆产出量略增，但制造成本高于上一代[3] 厂商技术差异与竞争格局 - 三星HBM4单位晶圆芯片数预计上升，因采用更先进的10nm第六代DRAM（1c DRAM），而SK海力士和美光沿用第五代（1b DRAM）[3] - 美光打破SK海力士对英伟达的HBM独占供应，其月产能从2023年底2万片增至2024年底6万片，加剧行业竞争[1][3] - SK海力士与台积电合作基础裸晶代工，仅外包后段布线工艺（BEOL），三星则使用自家代工厂[4] HBM4价格与行业趋势 - HBM4 12层堆叠产品价格预计超600美元，较HBM3 8层（200美元出头）和HBM3E 8层（300美元后段）显著上涨[3] - AI芯片公司（英伟达、AMD、微软）要求基础裸晶定制化，推动3D HBM等新型态产品开发[4] - 存储厂商难以完全转嫁成本上涨，因美光扩产加剧价格竞争，行业利润空间可能压缩[1][3]

HBM行业概述 - HBM是将DRAM通过先进封装技术堆叠并与GPU整合于同一芯片上的高频宽存储器 [1] - AI服务器是HBM最重要的当前市场 未来智能驾驶汽车将大量采用HBM [1] - 中国HBM产业目前能量产HBM2和HBM2E 预计2026E/2027E实现HBM3和HBM3E突破 [1] - 本土HBM产业发展需依赖Fab、设计公司、设备及材料公司的协同 键合堆叠环节是关键突破点 [1] 全球HBM竞争格局 - 2023年全球HBM市场份额：SK Hynix 55% Samsung 41% Micron 3% [1] - SK Hynix为技术领导者：2013年推出首颗TSV通孔HBM 2024年10月量产12层36GB HBM3E 正在研发16层48GB HBM3E [1] - 技术迭代路径：2017年HBM2→2019年HBM2E→2021年HBM3→2023年HBM3E [1] SK Hynix技术演进 - 堆叠工艺发展：TC-NCF→MR-MUF→Advanced MR-MUF 16层HBM3E将采用Advanced MR-MUF并验证混合键合技术 [2] - 技术里程碑：2009年研发TSV通孔 2013年HBM采用TC-NCF 2023年12层HBM3采用Advanced MR-MUF [2] HBM供应链分析 - Samsung供应链：日本Toray/Sinkawa和韩国SEMES提供设备 [3] - SK Hynix供应链：HANMI Semiconductor/ASMPT/Hanhwa Precision Machinery为主 [3] - HANMI Semiconductor占全球TC Bonder市场65%份额 HBM3E领域占比达90% [3] - SEMES擅长TC-NCF工艺 HANMI与SK Hynix合作开发MR-MUF兼容TC-NCF的TC Bonder [3]

HBM4规范的核心观点 - HBM4是JEDEC发布的最新高带宽内存标准，提供2TB/s的内存性能和高达64GB的密度，适用于生成式AI、高性能计算、高端显卡和服务器等应用[1] - HBM4通过提升频率至8Gb/s（HBM3为6.4Gb/s）和数据位数至2048位（HBM3为1024位），实现带宽比HBM3提升2倍[3] - HBM4解决了LLM数据集增长、可靠性和内存效率等数据中心关键问题，支持16层DRAM堆栈配置和32Gb芯片密度[4] HBM4的技术特点 - **更高带宽**：每堆栈带宽超过1TB/s（DDR4每模块仅25.6GB/s），满足AI训练硬件需求[7] - **更高内存密度**：垂直堆叠架构实现单位面积更高密度，单个封装可达64GB（16层×32Gb），优于DDR的空间限制[7] - **能源效率**：同等带宽下功耗比DDR4低40%-50%，得益于短距离传输和垂直堆叠设计[7] HBM4的应用场景 - **AI/ML领域**：加速海量数据集处理，提升自动驾驶、医疗保健和自然语言处理的AI系统性能[9] - **HPC与科学模拟**：支持天气建模、基因组研究等大规模并行计算，减少内存瓶颈[9] - **GPU与图形处理**：实现高清纹理、实时光线追踪和VR环境的高性能渲染，适用于游戏、3D渲染及影视制作[10] HBM4的部署挑战 - **生产成本高**：垂直堆叠和硅通孔技术导致制造成本高于传统内存[12] - **热管理复杂**：高数据传输率需额外冷却系统防止过热[13] - **集成难度大**：需重新设计系统以靠近CPU/GPU，且大规模生产面临可扩展性问题[12][13] HBM4的未来趋势 - 将与量子计算、下一代AI加速器深度融合，持续提升内存密度和能效[16] - 未来版本可能推动自动驾驶、8K视频处理等领域的突破，同时降低成本以拓展商业市场[16] HBM4的工作流程优势 - 支持多任务环境（如云计算），减少CPU与内存间的瓶颈，提升虚拟机和工作流程效率[14] - 紧凑设计适合边缘计算和便携式AI设备，在有限空间内实现高密度集成[14]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ JEDEC 近期发布的 HBM4 规范对 AI 训练硬件开发者来说是个好消息。HBM4 是快速发展的高带 宽内存 (HBM) DRAM 标准的最新规范，据 JEDEC 称，HBM4 可提供 2TB/s 的内存性能和高达 64GB（32Gb 16 位高）的更高密度。JEDEC 的新闻稿指出："HBM4 带来的进步对于需要高效处 理大型数据集和复杂计算的应用至关重要，包括生成式人工智能 (AI)、高性能计算、高端显卡和 服务器。" 大型语言模型 (LLM) 数据集呈指数级增长，而当前的 CPU 和 GPU 性能通常受到可用内存带宽的 限制。由于存在这种"内存壁垒"，HBM 凭借其卓越的带宽、容量和内存效率，已成为生成式 AI 训练的首选内存。 HBM4 基于 HBM3（和 HBM2E）标准构建，后者广泛应用于数据中心的 AI 训练硬件。HBM4 的内存带宽比 HBM3 提升了 2 倍。带宽的提升是通过将频率提升至 8Gb/s（HBM3 为 6.4Gb/s） 更高的内存密度： 与通常使用分散在主板上的独立模块的 DDR 内存相比，HBM4 采用垂直堆叠 架构，可在更小的物理 ...

三星电子4nm HBM4内存逻辑芯片进展 - 三星电子在4nm制程HBM4内存逻辑芯片的初步测试生产中取得40%良率，显著高于一般10%的起点和此前同制程不足20%的水平 [2] - 40%的初期良率表明4nm HBM4逻辑芯片开发具备较为稳定的基础，未来有望随制造成熟度提升而进一步提高 [4] 三星电子HBM市场竞争态势 - 公司在HBM3时期遭遇重大挫折，将70%的HBM内存市场份额让给SK海力士，并失去第一大DRAM原厂地位 [4] - 为挽回局面，三星在HBM4上采取激进技术路线，计划采用12Hi堆叠结构，结合1c nm DRAM和4nm逻辑芯片 [4] 三星1c nm DRAM开发挑战 - 自1z nm时期出现的电容漏电问题持续影响1c nm DRAM开发量产，导致稳定性未达预期 [4] - 公司尝试通过放宽线宽等方式改进电容器表现，但进展可能因此拖慢 [4] 技术路线规划 - HBM4产品将采用12Hi堆叠结构，其中逻辑芯片端进展顺利，但DRAM端面临技术挑战 [4]