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高盛:全球半导体-硅片、碳化硅衬底、氮化镓的供需模型更新,中国产能及对全球企业的影响
高盛· 2025-06-24 10:28
报告行业投资评级 - 买入评级:北方华创(SiC晶体生长炉)、天科合达(SiC衬底)、胜高(硅片)、信越化学(硅片)、三菱电机(SiC器件)、英飞凌(SiC器件)[2] 报告的核心观点 - 中国本地供应商在硅片和SiC衬底领域产能扩张,预计2024 - 2027E期间,12英寸硅片产能将以21%的复合年增长率扩张,SiC衬底产能(6英寸等效)将从250万片/年增长到750万片/年,本地产能覆盖率到2027E将达到87% [1][49] - 随着成本降低,SiC和GaN在高功率、高频应用中逐渐取代IGBT,预计到2030E,EV/铁路/电网的SiC渗透率将分别达到75%/38%/29%,中国GaN器件市场将从2024年的2.09亿美元增长到2030E的16亿美元 [52][53] - 全球硅片行业集中度高,技术壁垒高,中国本地晶圆制造商对日本两大晶圆公司的直接影响有限,未来300mm硅片需求将受AI服务器等因素驱动增长 [73][82][103] 各部分总结 中国硅片/ SiC衬底/ GaN市场规模(TAM) - 中国硅片市场规模预计从2021年的19.99亿美元增长到2030E的45.11亿美元,12英寸硅片需求增长显著 [37] - 中国SiC衬底市场规模预计从2021年的1.97亿美元增长到2030E的27.7亿美元,6英寸和8英寸衬底出货量均有增长 [39] - 中国GaN市场规模预计从2021年的6600万美元增长到2030E的16亿美元,快充、消费电子、EV和数据中心等领域需求推动增长 [42] 供应:中国本地供应商的产能扩张和全球Tier供应商的中国业务 - 中国本地硅片供应商产能扩张主要集中在12英寸,受逻辑和存储客户产能扩张及满足本地客户需求的驱动;SiC衬底产能扩张受SiC器件采用率上升驱动,尤其是在EV领域 [43] - 全球Tier供应商中,信越化学和胜高在中国的销售额已降至个位数水平,中国本地供应商的崛起对其影响有限 [96] 需求:SiC / GaN在高功率/高频应用中取代IGBT - SiC成本降低使其竞争力增强,在EV、铁路、电网等领域的渗透率不断提高,越来越多的EV车型开始采用SiC平台 [52] - GaN凭借高频和高电子迁移率的优势,应用场景从快充扩展到消费电子、EV、数据中心等领域 [53] 从全球硅片行业借鉴经验 - 全球硅片行业经历了整合,目前300mm硅片市场主要由信越化学、胜高、环球晶圆、世创和SK矽康等五家公司主导 [73] - 硅片行业技术壁垒高,包括大量资本支出、研发投入、长期技术积累和客户信任等,新制造商进入难度大 [82] - 中国本地晶圆制造商对日本两大晶圆公司的直接影响有限,半导体设备制造商不太可能大量采用中国本地晶圆制造商的产品 [96][101] 从全球半导体供应链借鉴经验 - 罗姆预计2026财年SiC亏损将有所缩小,目标在2028财年实现收支平衡,公司将降低资本支出并加速器件技术路线图 [119] - 英飞凌是全球领先的功率半导体供应商,依赖外部供应商提供晶圆,对中国晶圆质量评价较高,预计将受益于市场需求增长 [122][123] - 环球晶圆是全球排名前三的硅片供应商,继续投资SiC和GaN扩张,预计行业将从6英寸向8英寸SiC晶圆转变 [128] 定价:硅片和SiC衬底向大尺寸发展以支持综合平均销售价格(ASP) - 同类产品价格因竞争和本地供应商产能扩张而呈下降趋势,但产品向大尺寸、高端应用迁移可支持综合ASP [133] - 2024年EV IGBT ASP同比下降35%,6英寸SiC衬底价格两位数下降,预计2025E价格将更稳定 [133] 中国IGBT市场规模(TAM) - 中国IGBT市场规模预计从2021年的30.59亿美元下降到2030E的27.98亿美元,主要受EV和铁路领域SiC渗透率上升影响 [137] - 中国IGBT产能和产量预计将增长,2025E - 2026E的供应/需求比分别为128%/131% [137]
Atomera(ATOM) - 2025 Q1 - Earnings Call Transcript
2025-05-07 06:02
Atomera (ATOM) Q1 2025 Earnings Call May 06, 2025 05:00 PM ET Company Participants Mike Bishop - IRScott Bibaud - President, CEO & DirectorFrank Laurencio - CFO Conference Call Participants Richard Shannon - Senior Research Analyst Mike Bishop Hello, everyone, and welcome to Atomera's first quarter twenty twenty five update call. I'd like to remind everyone that this call and webinar are being recorded, and a replay will be available on Atomera's IR website for one year. I'm Mike Bishop with the company's i ...
Atomera(ATOM) - 2025 Q1 - Earnings Call Transcript
2025-05-07 05:00
财务数据和关键指标变化 - 2025年第一季度GAAP净亏损为520万美元,即每股亏损17美分,而2024年第一季度净亏损为480万美元,即每股亏损19美分 [21] - 2025年第一季度GAAP运营费用为550万美元,较2024年第一季度的500万美元增加了44.8万美元 [21] - 2025年第一季度非GAAP净亏损为440万美元,而2024年第一季度亏损为400万美元,主要由于非GAAP运营费用增加了46.8万美元 [22] - 截至2025年3月31日,公司现金、现金等价物和短期投资余额为2410万美元,而2024年12月31日为2680万美元 [23] - 2025年第一季度经营活动使用现金480万美元,2024年第一季度为410万美元,2024年第四季度为300万美元 [23] - 2025年第二季度收入将取决于向无晶圆厂被许可方发货的时间,预计在0至5万美元之间 [24] - 公司预计2025年全年非GAAP运营费用在1725万至1775万美元之间 [26] 各条业务线数据和关键指标变化 栅极全环绕(Gate All Around)业务 - 公司在栅极全环绕应用方面取得重大进展,为客户生成了更详细的硅验证性能增强数据,并在客户晶圆上沉积了MST薄膜进行评估 [10] 内存业务 - 公司获得了专注于DRAM感测放大器的新专利,这些专利与高带宽和标准DDR内存相关,并正在将这些知识产权应用于与大型内存供应商的当前讨论中 [10] RF SOI业务 - 2024年末,许多RF SOI客户表示除了之前在RF功率开关方面的努力外,还需要改进低噪声放大器(LNAs) [11] - 公司与几家不同的RF SOI制造商合作,使用合作伙伴的Soitex超薄RF SOI晶圆开始新的晶圆运行,以验证LNA的优势 [12] 功率业务 - 与主要功率客户STMicro的合作进展顺利,过去六个月的重点是优化可制造性、良率和吞吐量,为大批量生产做准备 [12] - 公司与STMicro的两个团队每周会面,许多不同批次的产品正在工厂生产,频繁的测试结果表明有明确的资格认证路径 [13] - 公司正在与STMicro的三个其他产品领域进行积极讨论,这些领域有可能带来新的许可和未来的版税收入 [13] 化合物半导体(氮化镓)业务 - 本季度,作为之前宣布的与桑迪亚国家实验室合作的一部分,公司完成了世界上第一批使用MST技术生产的氮化镓(GaN)器件 [17] - 目前正在收集这些首批器件的数据,已经看到电气性能改善的迹象,与之前观察到的材料质量改善一致 [18] 各个市场数据和关键指标变化 - 2027年,外延设备市场预计约为26亿美元,前沿节点的复合年增长率(CAGR)为10%至15% [10] - 氮化镓(GaN)在消费电源、汽车电气化和人工智能数据中心电力电子等应用中的市场增长迅速,预计到本十年末,器件层面的市场规模将超过20亿美元,复合年增长率约为40% [17] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司与一家主要的半导体设备提供商建立了合作伙伴关系,旨在为客户提供先进的材料解决方案,解决栅极全环绕领域的问题 [4] - 合作将帮助公司更快地获得更多被许可方投入生产,同时合作伙伴将向共同客户销售更多设备和服务 [5] - 公司将利用合作伙伴在大型客户应用、设计目标、组织和决策者方面的详细知识,提供更优化和经过验证的解决方案 [4] - 合作伙伴的直接销售团队将协助公司推动设计进入生产阶段,这对公司来说是宝贵的资源 [7] - 合作协议虽然主要针对栅极全环绕架构,但预计将扩展到先进内存和其他领域 [9] - 公司继续与现有被许可方进行讨论,包括JDA 1、JDA 2、无晶圆厂被许可方和代工厂被许可方,并希望与他们开展新的合作 [14][15] - 公司正在积极与新客户进行讨论,特别是在氮化镓等新领域,希望在今年晚些时候实现许可和/或收入机会 [16][18] - 公司正在招聘工程团队和销售营销团队的人员,以应对业务增长和向大批量生产的过渡 [20] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 公司认为目前的工作量表明,在半导体行业的多个市场和产品领域都取得了进展,特别是在与STMicro的合作、客户扩展以及栅极全环绕和内存业务方面 [19] - 公司相信新宣布的与主要半导体设备提供商的合作将有助于加速和达成许可协议,以利用人工智能基础设施的推出带来的机会 [20] - 公司认为氮化镓业务不仅符合行业的主要趋势,而且有望比其他业务部门更快实现收入 [20] - 公司相信通过努力建立技术和与大型半导体公司的关系,将能够将这些努力转化为重要且可持续的业务 [26] 其他重要信息 - 公司在电话会议中会做出前瞻性陈述,这些陈述受固有风险和不确定性的影响,相关风险在公司向美国证券交易委员会提交的文件中详细说明 [2] - 公司将讨论非GAAP财务指标,这些指标与最直接可比的GAAP指标的对账包含在今天的新闻稿中 [3] 总结问答环节所有的提问和回答 问题: 与半导体生产设备公司合作涉及的设备类型、合作时长以及合作伙伴的投入程度 - 公司CEO表示难以透露具体设备类型,但强调这是公司广泛使用的技术,且与合作伙伴已密切合作多年 [30] - 合作伙伴投入大量设备、人员和工程资源帮助公司获取数据以赢得设计并进入生产阶段,因为双方约定将使用合作伙伴的设备进行生产 [32] 问题: 与半导体生产设备公司的合作是否主要集中在前沿逻辑和DRAM领域 - 公司CEO确认合作主要集中在栅极全环绕领域,属于前沿技术,且逻辑和内存领域的技术有很多相通之处 [33] 问题: STMicro其他开始与公司合作的技术领域,以及这些合作是否受智能电源部门工作的影响 - 公司CEO表示STMicro是一家大型公司,产品涵盖多个领域,与公司的技术重叠度很高,包括RF SOI、氮化镓、先进节点和全耗尽SOI等 [37] - 公司与STMicro的智能电源部门合作良好,在高级管理层中建立了很高的信誉,其他部门在考虑与公司合作时会参考智能电源部门的意见 [36] 问题: RF SOI技术过去未被客户采用的限制因素,以及改善LNAs是否是解锁机会的关键 - 公司CEO表示过去RF SOI客户主要关注功率开关应用,公司在该领域展示了显著的改进能力 [42] - 近期一些领先的手机制造商或运营商改变了手机规格,要求更好的LNA性能,这成为一个热门领域,公司正在与客户在功率开关和LNA两个方面开展合作,预计客户会迅速行动 [43][44] 问题: 关于两个变革性客户的情况,以及相关工作是否涉及资本设备合作伙伴 - 公司CEO表示这两个客户进展迅速,至少其中一个的进展速度超出预期,另一个也在扩大合作范围 [48] - 公司与这两个客户的合作最初未涉及资本设备合作伙伴,但合作协议有望扩展到包括这两个客户在内的更多业务 [50][52] 问题: 2025年的运营费用范围以及年底的预期情况 - 公司CFO表示将之前给出的1700万至1800万美元的非GAAP运营费用范围缩小至1725万至1775万美元 [54] - 费用将在年内稳步增长,因为公司正在招聘销售和营销人员,且外包研发费用可能会接近历史平均水平 [55][56] 问题: 之前提到的两个现有客户计划在与原合作范围不同的产品领域进行演示的情况 - 公司CEO表示不能透露客户名称,但提到有客户对28纳米、全耗尽RF SOI、特殊应用(如辐射硬化)和不同内存应用等领域感兴趣 [61][62] 问题: 最近重新制定的雇佣协议不再提供控制权变更时的遣散费的影响 - 公司CEO表示这是一个失误,原计划为高管设置双重触发控制权变更条款,但协议中出现了多余的文字,导致变成了单一触发条款,发现问题后已重新起草并提交 [64][66] 问题: STMicro当前的时间表是否受到他们重新开始类似JDA 1的第三阶段工作的影响 - 公司CEO表示STMicro正在进行两种并行的工作,一是优化设备性能,二是进行产品化工作以提高良率和吞吐量,目前的工作属于第四阶段,但第三阶段也有类似的优化工作 [68] 问题: 上季度电话会议中提到的变革性客户的当前状态 - 公司CEO表示本季度继续与该客户进行讨论,但截至本次财报电话会议暂无具体进展可报告,沟通渠道仍然畅通 [69] 问题: 桑迪亚实验室的电气结果如何 - 公司CEO表示去年底获取电气结果的时间比预期长,目前已经获得结果,显示器件性能有所改善,与之前观察到的GaN器件物理质量改善一致 [70] - 下一步公司将进行优化,目标是获得一套完整的电气数据,以便向客户展示 [71] 问题: 与资本设备公司的合作商业模式是怎样的 - 公司CEO表示合作不会改变公司的商业模式,不涉及共享版税,对公司一直以来的商业模式没有重大影响 [74] - 合作伙伴将在材料开发和销售方面提供帮助,作为回报,公司会告知客户这是合作项目,并将共同进入生产阶段 [75]