三星电子聚焦无助焊剂键合技术 - 三星电子正在评估无助焊剂键合技术作为下一代HBM4的潜在候选方案 并已与海外合作伙伴启动初步测试 目标在2024年底完成评估[1][4] - 该技术目前处于研发阶段 但因其在高层数高密度HBM中的应用潜力被行业重点关注[1][3] 无助焊剂技术原理及优势 - 无助焊剂技术通过去除凸块氧化膜而不使用助焊剂 解决传统MR-MUF工艺中因I/O端子翻倍(达2024个)和凸块间距缩小导致的清洁难题[3][6] - 相比现有NCF技术(热压粘合薄膜) 无助焊剂采用液态EMC材料注入芯片间隙 兼具支撑和防污染功能[2][4] 三星技术路线对比 - 三星同步推进三种键合技术：现有NCF工艺 混合键合(铜直接键合)以及无助焊剂方案 但混合键合因技术成熟度不足面临挑战[5][6] - 无助焊剂需重构设备基础设施 而SK海力士因已有MR-MUF经验更易实现技术迁移[6] 行业竞争格局 - SK海力士同样评估无助焊剂在HBM4的应用 其MR-MUF技术积累可能形成先发优势[6] - 三星计划2024年内完成量产认证 技术选择将影响HBM4供应链设备需求[4][6]