新型存储材料研究 - 明尼苏达大学团队开发出新型材料Ni₄W（镍钨合金），可显著提升计算机内存速度并降低能耗[4][5] - Ni₄W通过产生强自旋轨道扭矩（SOT）实现磁态无场切换，无需外部磁场即可多方向操控磁性[5][6] - 该材料写入数据功耗低于传统方案，潜在应用包括智能手机、数据中心等电子设备的节能优化[5][6] 技术优势与产业化潜力 - Ni₄W采用常见金属制成，可通过标准工业流程生产，具备低成本和大规模应用优势[7] - 实验证实其自旋场效率和多方向性突出，适用于低功耗高速自旋电子器件[6][7] - 研究团队已获得技术专利，下一步将推动材料微型化以适配更小设备[5][8] 研究背景与合作支持 - 研究由明尼苏达大学电气与计算机工程系主导，联合材料科学、纳米技术等多领域专家[8][9] - 项目获美国NIST旗下SMART研究中心资助，聚焦自旋电子存储与计算系统开发[9] - 合作机构包括明尼苏达大学特性实验室和明尼苏达纳米中心[9]