文章核心观点 随着人工智能发展，数据中心基础设施需同步演进，罗姆作为功率半导体技术领导者，为英伟达新800V高压直流（HVDC）架构提供关键硅技术支持，助力更高效、可扩展和可持续的人工智能工厂建设 [1] 公司产品组合 - 公司功率器件组合涵盖硅和宽带隙技术，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），为数据中心设计师提供战略路径 [2] - 公司硅MOSFET已广泛应用于汽车和工业领域，能平衡价格、效率和可靠性，适合人工智能基础设施发展过渡阶段 [2] 公司产品案例 - RY7P250BM是一款100V功率MOSFET，获全球主要云服务提供商认可，专为48V电源系统热插拔电路设计，可降低功率损耗、提高系统可靠性 [3] 公司产品与英伟达架构契合点 - 公司SiC器件在工业级低损耗整流方面表现出色，契合英伟达大规模部署800V HVDC数据中心架构以驱动1MW计算机架及以上的计划 [4] - 公司SiC MOSFET在高压、高功率环境中性能优越，能降低开关和传导损耗，提高效率，与英伟达800V HVDC架构要求完美契合 [5] 公司氮化镓技术进展 - 公司以EcoGaN™品牌推进氮化镓技术，在100V至650V范围内性能卓越，其专有纳米脉冲控制技术可进一步改善开关性能 [6] 公司高功率模块情况 - 公司提供一系列高功率SiC模块，如HSDIP20，适用于英伟达架构中的集中式电源系统，具备强大热性能和可扩展性 [7] 公司合作态度 - 公司致力于与英伟达等行业领导者、数据中心运营商和电源系统设计师密切合作，为下一代人工智能工厂提供基础硅技术 [8]

文章核心观点 Navitas Semiconductor推出适用于超大规模AI数据中心的12kW电源供应单元参考设计，满足高功率、高密度服务器机架的OCP要求，能为客户提供高效、简单且经济的解决方案 [1][7] 产品信息 - 12kW PSU符合Open Rack v3规格和Open Compute Project指南，采用Gen - 3 Fast SiC MOSFETs、IntelliWeave™数字平台和高功率GaNSafe ICs，配置为3相交错TP - PFC和FB - LLC拓扑，确保高效能和高性能，同时减少组件数量 [2] - 3相交错图腾柱功率因数校正由Gen - 3 Fast SiC MOSFETs驱动，具有“沟槽辅助平面”技术，性能卓越，可支持更快充电的电动汽车和更强大的AI数据中心 [3] - IntelliWeave数字控制提供临界传导模式和连续传导模式的混合控制策略，相比现有连续传导模式解决方案，功率损耗降低30% [4] - 3相交错全桥LLC拓扑由4代高功率GaNSafe ICs实现，集成多种功能，可靠性和耐用性高，适用于1kW至22kW应用 [5] - PSU尺寸为790 x 73.5 x 40 mm，输入电压范围180 – 305 VAC，输出最高50 VDC，有多种保护功能，工作温度范围 - 5至45°C，保持时间≥20 ms，浪涌电流≤3倍稳态电流，通过内部风扇冷却 [6] 公司信息 - Navitas Semiconductor是唯一专注于下一代功率半导体的公司，成立于2014年，有10年功率创新历史，拥有超300项专利，提供GaNFast™功率IC和GeneSiC™功率器件，专注多个市场，是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [8] 相关活动 - 12kW PSU于5月21日在Navitas的“AI Tech Night”上展示，同期还有台湾电脑展 [7]

文章核心观点 公司推出具有高可靠性、高性能和优化高爬电封装的产品，为汽车和工业应用设定新基准 [1][14] 公司介绍 - 公司是唯一纯-play、下一代功率半导体公司，在氮化镓（GaN）功率 IC 和碳化硅（SiC）技术领域处于行业领先 [1] - 公司成立于 2014 年，拥有超 300 项专利，有行业首个且唯一 20 年 GaNFast 保修，是全球首个获得碳中和认证的半导体公司 [9] - 公司 GaNFast™ 功率 IC 集成氮化镓功率和驱动等，GeneSiC™ 功率器件是优化的碳化硅解决方案，聚焦 AI 数据中心、EV 等市场 [9] 产品特点 - 最新一代 650 V 和 1200 V “沟槽辅助平面” SiC MOSFETs 与优化的 HV - T2Pak 顶侧冷却封装结合，爬电距离达 6.45 mm，满足高达 1200V 应用的 IEC 合规性 [1] - HV - T2Pak SiC MOSFETs 显著提高系统级功率密度和效率，改善热管理，简化板级设计和可制造性 [2] - GeneSiC™ “沟槽辅助平面 SiC MOSFET 技术” 在高温电路运行时导通电阻比竞品低达 20%，开关品质因数优越，功率损耗低 [7] - 所有 GeneSiC™ SiC MOSFETs 雪崩能力 100% 测试，短路耐受能量出色，阈值电压分布窄，便于并联 [7] 产品应用 - 目标应用包括 EV 车载充电器（OBC）和 DC - DC 转换器、数据中心电源、住宅太阳能逆变器和储能系统（ESS）、EV 直流快速充电器和 HVAC 电机驱动器 [2] 产品标准 - 公司创建行业首个 “AEC - Plus” 基准，表明产品符合并超越现有 AEC - Q101 和 JEDEC 产品资格标准 [3] - “AEC - Plus” 资格标准扩展到严格的多批次测试和资格认证，新增动态反向偏置（D - HTRB）和动态栅极开关（D - HTGB）等要求 [4][11] 产品规格 - 初始 HV - T2Pak 产品组合包括导通电阻额定值为 18 mΩ 至 135 mΩ 的 1200 V SiC MOSFETs 和 20 mΩ 至 55 mΩ 的 650 V SiC MOSFETs [8] - 2025 年晚些时候将推出 HV - T2Pak 封装中导通电阻低于 15 mΩ 的 SiC MOSFETs [8] 封装设计 - HV - T2Pak 顶侧冷却封装采用行业标准紧凑外形（14 mm x 18.5 mm），封装模塑料有创新凹槽设计，不减小散热垫尺寸并确保最佳散热 [4] - 外露散热垫采用镍、镍磷（NiNiP）镀层，而非现有 TSC 封装解决方案的锡（Sn）镀层，有助于保持回流后表面平整度 [5]

文章核心观点 SMA采用Semikron Danfoss搭载ROHM最新2kV SiC MOSFETs的模块用于其新的大规模功率转换解决方案，三方合作展示了创新技术无缝集成对未来能源项目的重要性 合作信息 - SMA采用Semikron Danfoss搭载ROHM最新2kV SiC MOSFETs的模块用于“Sunny Central FLEX”平台 [1] - Semikron Danfoss与ROHM合作超十年，近期也合作引入硅IGBT [3] 产品特点 - ROHM的2kV SiC MOSFETs支持1500V DC链路的高效转换器拓扑，满足高可靠性标准，能承受宇宙辐射，其结构结合片上栅极电阻简化了器件并联和高功率模块设计，已量产 [2] - Semikron Danfoss的SEMITRANS 20为1500VDC应用提供简单高效解决方案，适用于太阳能和储能逆变器，也有利于新兴应用 [4] 公司介绍 SMA - 全球光伏和储能系统技术领先专家，产品涵盖高效光伏和电池逆变器、系统解决方案、智能能源管理系统及充电解决方案等 [5] - 过去20年全球安装的SMA逆变器总输出约144GW，帮助减少超6400万吨CO2排放，其技术受超1600项专利和实用新型保护，母公司在法兰克福证券交易所上市 [6] Semikron Danfoss - 全球功率电子技术领导者，提供半导体器件、功率模块等产品，助力高效可持续能源使用和减少全球CO2排放 [7] - 2022年由SEMIKRON和Danfoss Silicon Power合并而成的家族企业，全球28个地点有超3500名员工，在多国设有生产基地，有超90年功率模块封装等经验 [8] ROHM - 1958年成立的领先半导体和电子元件制造商，通过全球销售和开发网络供应IC、分立器件和电子元件，在模拟和功率市场有优势，能提供系统优化解决方案 [9]

文章核心观点 - 纳微半导体宣布其高功率GaNSafe和第三代“快速”SiC MOSFET使3.2kW、4.5kW和8.5kW AI数据中心电源参考设计系统效率达96.5% - 98% 加速清洁能源服务器数据中心电源采用 且新的Ruby认证标准有助于行业提升能源效率 [1] 公司情况 - 纳微半导体是唯一纯业务、下一代功率半导体公司 也是氮化镓（GaN）功率IC和碳化硅（SiC）技术行业领导者 成立于2014年 有10年功率创新历史 [1][8] - 公司GaNFast™功率IC集成氮化镓功率和驱动及控制、传感和保护功能 可实现更快充电、更高功率密度和更大节能效果 互补的GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压和高可靠性碳化硅解决方案 [8] - 公司聚焦市场包括AI数据中心、电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、移动和消费领域 拥有300多项已发布或待发布专利 有行业首个也是唯一的20年GaNFast质保 是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [8] - 2023年8月公司推出高速高效3.2kW CRPS 尺寸比同类最佳传统硅解决方案小40% 2024年推出世界最高功率密度4.5kW CRPS 功率密度达137W/in 效率超97% 同年11月发布世界首个由GaN和SiC供电的8.5kW AI数据中心电源 效率达98% 符合开放计算项目（OCP）和开放机架v3（ORv3）规格 [6] - 公司创建了创新专利数字控制技术IntelliWeave 与高功率GaNSafe和第三代快速SiC MOSFET结合 使PFC峰值效率达99.3% 与现有解决方案相比功率损耗降低30% [6] 行业情况 - 80 PLUS认证计划评估和认证计算机及服务器内部电源的能源效率 Ruby认证是该计划管理机构CLEAResult于2025年1月宣布的 是自14年前“钛金”认证发布以来最严格的电源效率标准 [3][4] - Ruby认证在所有负载条件下要求系统效率额外提高1%（50%负载时要求提高0.5%） 以达到96.5%效率的新基准 该标准为行业提升能源效率提供清晰路径 有助于数据中心满足云存储、商业领域不断变化的需求以及应对AI计算对电网日益增加的压力 [4][5] - 每个获得Ruby认证的3.2kW CRPS185电源在3年使用寿命内可节省多达420千瓦时 相当于减少超400千克二氧化碳排放 [5] - 行业预计到明年每年将消耗1000 TWh 效率每提高一个百分点 就意味着减少10 TWh或约350万吨二氧化碳排放 [7]