全球存储器龙头三星有意退出MLC储存型快闪存储器（NAND Flash）市场，通知客户只接单到6月，并 通过涨价要客户知难而退，「不要来下单」，业界急寻新供应商，引爆新一波抢货潮。值此NAND报价 向上之际，三星停供将引动市况更热，群联、威刚、创见等NAND族群受惠。 业界指出，三星去年下半年就酝酿规划退出MLC NAND市场，原先时间点是今年下半年，如今提前停 产，将剩余手中库存销货完毕后就不再制造，使需要MLC规格NAND Flash的客户开始紧急寻求握有大 量库存的模块厂支持。 业界表示，现在NAND Flash规格主流虽正朝QLC方向推进，但MLC规格稳定性高，工规、物联网、电 视甚至车用等利基型高毛利应用仍大量采用MLC NAND，市场规模仍大，三星为最大供应商，停供将 导致下游很紧张。 根据了解，NAND Flash单元将数据储存在一个存储单元中，每个单元能够储存多个信息，不同类型的 NAND Flash，如SLC、MLC、TLC和QLC，其最大差别在于存储器芯片的储存信息单元量不同，SLC 规格的稳定性最高，但容量密度最低，现阶段消费性及企业级市场已开始往TLC、QLC推进。 韩媒The Ele ...

文 ｜ 徐涛 王子源 程子盈 本篇跟踪点评聚焦主流存储，我们观察到原厂控产、产品结构升级之下，近期主流存储现货市场价 格趋稳，部分低端料号微涨。随原厂控产影响显现，行业库存逐步消化，AI拉动需求提升，我们 预计主流NAND Fl a s h 价格有望于2 5Q2开涨，DRAM价格有望于2 5H2企稳向好，存储模组涨价 早于晶圆端，国内模组厂商主要布局NAND产品，2 5Q2有望迎利润拐点，低价存货有望带来利润 弹性，估值有望率先提升，建议关注模组环节投资机会。 ▍ 价格追踪：2 4H2起存储价格下跌，近期部分低端料号现货上涨/波动。 ——DRAM ：周度现货价格中DDR4 1 6Gb / 8Gb部分料号自2 0 2 4年底至今波动上涨约6%，自 2 0 2 5年1月DDR4 8Gb / 4Gb月度价格上涨5%/ 2%，其他DDR4价格底部徘徊，DDR3 /DDR5价格 跌幅持续收窄。本周DDR5日度现货价格微涨。 ——NAND： 现货市场3 2GB eMMC产品价格上涨，上游2 5 6Gb TLC NAND Fl a s h Wa f e r价格 小涨，更大容量的wa f e r及嵌入式、SSD价格仍跌。 ▍ ...