公司活动安排 - 公司计划参加2025年9月4日Benchmark科技、媒体与电信会议（纽约运动员俱乐部）[3] - 公司计划参加2025年9月5日花旗全球TMT会议（纽约希尔顿中城酒店）[3] - 公司计划参加2025年9月10日B Riley证券消费者与TMT会议（纽约索菲特酒店）[3] 公司业务概览 - 公司是半导体行业离子注入解决方案的领先供应商，专注于离子注入系统的设计、制造和全生命周期支持[1] - 公司总部位于马萨诸塞州贝弗利，在半导体行业拥有超过45年的创新解决方案提供经验[1] - 离子注入是集成电路制造过程中最关键的工艺步骤之一[1] 投资者关系联系 - 投资者关系联系人为David Ryzhik（高级副总裁，电话：978-787-2352，邮箱：david.ryzhik@axcelis.com）[2] - 媒体关系联系人为Maureen Hart（高级总监，电话：978-787-4266，邮箱：maureen.hart@axcelis.com）[2]

财务业绩 - 第二季度营收为1.945亿美元，同比下降24.2%[3] - 净利润为3138万美元，同比下降38.3%，摊薄每股收益为0.98美元[3] - 非GAAP净利润为3601万美元，非GAAP摊薄每股收益为1.13美元[3] - 毛利率为44.9%，同比提升1.1个百分点，非GAAP毛利率为45.2%[3][6] - 经营利润率为14.9%，同比下降5.7个百分点，非GAAP经营利润率为17.7%[3][6] - 调整后EBITDA为3887万美元，调整后EBITDA利润率为20.0%[3][23] 现金流与资本配置 - 经营活动产生现金流3973万美元[16] - 当季股份回购金额达4530万美元[2][16] - 现金及现金等价物为1.736亿美元，短期投资为3.762亿美元[14] 业务展望 - 第三季度营收指引约为2亿美元[4] - GAAP摊薄每股收益指引约为0.87美元，非GAAP摊薄每股收益指引约为1.00美元[4][26] - 非GAAP调整包含约0.17美元的股权激励费用影响[26] 业务运营 - 产品收入为1.834亿美元，服务收入为1114万美元[12] - 研发费用为2706万美元，同比增长5.0%[13] - 存货规模为3.108亿美元，较2024年底增长10.1%[14] - 客户服务与支持(CS&I)业务保持增长势头[2] 非GAAP指标 - 管理层使用非GAAP指标评估经营绩效，包含调整后毛利率、经营利润率及EBITDA等[17][20] - 主要调整项包括股权激励费用、重组费用及坏账支出等[20][23] - 非GAAP所得税率假设为14%[22][26]

BEVERLY, Mass., July 29, 2025 /PRNewswire/ -- Axcelis Technologies, Inc. (NASDAQ: ACLS), a leading supplier of enabling ion implantation solutions for the semiconductor industry, announced the company's plans to participate in the following upcoming investor conferences in August: About Axcelis: David Ryzhik Senior Vice President, Investor Relations and Corporate Strategy Telephone: (978) 787-2352 Email: [email protected] Press/Media Relations Contact: Maureen Hart Senior Director, Corporate & Marketing Com ...

财务发布安排 - 公司将于2025年8月5日美股开盘前发布2025年第二季度财务业绩 [1] - 业绩电话会议定于同日美东时间8:30举行 可通过官网投资者页面或指定链接注册参与 [2] - 电话会议网络重播将在结束后保留30天 [2] 公司背景 - 总部位于马萨诸塞州贝弗利 专注半导体行业离子注入系统研发制造45年 [3] - 核心技术覆盖离子注入设备全生命周期支持 该工艺是集成电路制造的关键环节 [3]

Abstract: We present a case study describing how particles added to wafers during dedicated low-energy boron (LEB) implants can be reduced by the implementation of new hardware to reduce the buildup of boron films on beamline components. The new hardware increases the ion beam angle of incidence on beamline component surfaces to enhance self-sputtering of films and significantly reduces the film growth rate on surfaces near the wafer being implanted. This is important because film growth can lead to delamin ...