标准制定概况 - 我国首个极紫外（EUV）光刻胶测试规范《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》于2025年10月23日启动立项公示，公示期持续至11月22日 [2][3] - 该标准由上海大学联合张江国家实验室、上海华力集成电路制造有限公司、上海微电子装备（集团）股份有限公司等业内重点机构与企业共同起草，项目周期为16个月 [2][3] - 此项标准填补了国内在先进光刻材料测试体系方面的空白，旨在建立统一、科学的性能评估框架 [3] EUV光刻胶行业背景与市场格局 - EUV光刻胶工作波长为13.5nm，是7nm及以下制程集成电路制造的关键材料，对实现先进逻辑芯片和高端存储芯片生产不可或缺 [4][7] - 全球EUV光刻胶市场高度集中，日本企业JSR、东京应化等占据超过95%的市场份额，国产化率为零 [4][7] - 随着全球芯片制造向3nm、2nm节点推进，EUV光刻已成为先进制程不可或缺的量产手段 [7] 标准制定的意义与影响 - 标准落地将提升国产光刻胶在晶圆制造环节的验证效率，促进测试数据互认，降低产线导入的技术风险 [4] - 标准将带动本土测试装备的技术升级与自主配套，有助于控制研发成本 [4] - 此举标志着在突破EUV光刻关键材料“卡脖子”问题上迈出制度化一步，有助于加速半导体材料从依赖进口向自主供给的战略转型 [5] 国内科研进展 - 光刻胶已被列入《“十四五”原材料工业发展规划》重点突破的新材料目录 [8] - 北京大学团队利用冷冻电子断层扫描技术揭示了光刻胶分子的三维微观结构，为优化材料设计提供新路径 [9] - 南开大学团队在氧化钛团簇材料方面实现突破，制备出分辨率达12.9纳米的负性图案 [9] - 华东理工大学团队开发出新型非晶态沸石咪唑酯骨架薄膜制备方法，并完成超越EUV波段的光刻验证 [9] - 清华大学团队开发出基于聚碲氧烷的新型光刻体系，展现出良好的EUV响应性能 [9]