报告行业投资评级 - 领先大市 - A，维持评级 [5] 报告的核心观点 - 美国发布 AI 新政强化对华技术封锁，坚定看好国产半导体机遇；长江存储全国产线试产在即，有望带动国产半导体设备需求增长；谷歌二季度营收和净利润增长，上调全年资本支出；电子行业本周涨幅 2.85%，给出算力和半导体产业链投资建议 [1][2][3][9] 根据相关目录分别进行总结 本周新闻一览 - 2025 年《财富》中国 500 强榜单出炉，半导体产业链表现亮眼，多家企业上榜且排名上升 [14] - 意法半导体将以 9.5 亿美元收购恩智浦半导体 MEMS 传感器业务，预计 2026 年上半年完成 [14] - 华为海思推出两款 1200V 工规 SiC 单管产品，适用于工业高温、高压场景 [14] - 2025 中国国际大数据产业博览会 8 月将在贵阳举行，展示数据要素与 AI 融合创新成果 [14] - 云天励飞发布深穹 Edge200 芯片及深穹 X6000 Mesh 推理计算卡等产品，助力 AI 模型商业落地 [14] - 中方将举办 2025 世界人工智能大会，邀请多国代表围绕重点议题研讨，推动 AI 健康发展 [14] - 中科半导体发布氮化镓机器人智能快充芯片，为机器人定制化 [14] - 准格尔旗签约 30 亿元高纯石英砂及碳化硅项目 [14] - 京东考虑收购德国消费电子零售商 Ceconomy，潜在交易估值约 22 亿欧元 [14] - Phancy AI 智能眼镜预售，续航长且功能丰富 [15] - 德国 AR 显示器技术开发商 Gixel 获 500 万欧元种子轮融资，用于研发光学显示技术 [15] - 北京时代全芯存储公司申请“带有升压电路的相变存储器”专利 [15] 行业数据跟踪 半导体 - 清华大学开发出基于聚碲氧烷的新型 EUV 光刻胶，提升光刻胶 EUV 吸收效率和灵敏度 [16] SiC - 珂玛科技拟 1.02 亿元收购苏州铠欣 73%股权，完善碳化硅陶瓷材料布局 [17] - 2025 年 1 - 6 月我国新能源汽车产销同比分别增长 40.3%和 41.4%，2025Q2 国内光伏新增装机 212GW，带动碳化硅功率器件需求 [17] 消费电子 - 2025 年南山智链·AI + 消费电子对接会举行，推动产业链融通创新 [22] - 2025 年 5 月中国智能手机出货量 2252.6 万台（YoY - 21%，MoM + 1%），6 月产量 10827 万台（YoY + 8%，MoM + 19%） [22] - 2025 年 6 月 VR 头显细分市场中，Meta Quest 系列占比 63.83% [25] 本周行情回顾 涨跌幅 - 本周上证指数、深证成指、沪深 300 指数和申万电子版块分别上涨 1.67%、2.33%、1.69%和 2.85%，电子行业在全行业中排名 13/31 [30] - 本周电子行业中元件跌幅最大为 - 0.85%，半导体涨幅最大为 4.65% [31] - 本周电子版块涨幅前三为统联精密（39.97%）、苏州天脉（33.58%）、阿石创（21.34%），跌幅前三为 ST 恒久（ - 13.48%）、东田微（ - 13.15%）、中电港（ - 11.25%） [34] PE - 截至 2025.07.26，沪深 300 指数 PE 为 13.51 倍，10 年 PE 百分位为 73.24%；SW 电子指数 PE 为 55.97 倍，10 年 PE 百分位为 76.84% [38] - 截至 2025.07.26，电子行业子版块 PE/PE 百分位分别为半导体（87.47 倍/60.91%）、消费电子（30.10 倍/30.60%）、元件（47.41 倍/76.62%）、光学光电子（51.54 倍/62.47%）、其他电子（65.97 倍/83.63%）、电子化学品（59.67 倍/68.73%） [40] 新股日历 - 报告给出 07.28 - 08.01 新股 IPO 审核状态更新表格，但未填充具体内容 [44]

光刻胶市场概况 - 光刻胶是一种对光敏感的混合液体，由树脂、感光组分、溶剂及添加剂组成，用于将微细图形从光罩转移到待加工基片上[2] - 2022年世界光刻胶市场规模同比下降约2%，预计2022-2027年整体增速约为5%[5] - 中国光刻胶市场规模2022年与2021年基本持平，预计2022-2027年年均增长7%[12] 半导体光刻胶市场 - 2022年世界半导体光刻胶消费额约238亿元，同比增长8%，预计未来5年增速约5%[6] - 中国半导体光刻胶2022年消费量达46亿元，同比增长15%，预计未来5年增速约10%[13] - 中国12英寸晶圆产能预计从2022年137万片/月增长至2026年240万片/月[13] 显示面板光刻胶市场 - 2022年世界显示面板光刻胶消费额约126亿元，同比降低19%，预计未来5年增速约6%[7] - 中国显示光刻胶2022年消费额61亿元，同比下降13%，预计未来5年增速约8%[14] - 中国LCD面板产能预计2025年增长至2.86亿m²/a，OLED面板产能达3400万m²/a[14] PCB光刻胶市场 - 2022年世界PCB光刻胶消费额约163亿元，同比增长2%，预计未来5年增速约4%[9] - 中国PCB光刻胶2022年消费额101亿元，同比增长3%，预计未来5年增速约5%[16] - 世界PCB产值预计2022-2027年年均增长4%，2027年达984亿美元[8] 中国光刻胶产业现状 - 光刻胶及上游原材料产业主要位于日本，行业技术壁垒高且需要与光刻设备协同研发[19] - 中国光刻胶生产主要集中在PCB光刻胶，湿膜光刻胶国产化率55%，干膜光刻胶国产化率仅10%[23][36] - 半导体光刻胶中G线/I线胶国产化率20%，KrF胶不足5%，ArF/ArFi胶不足2%，EUV胶为0[23][29] - 显示光刻胶整体国产化率约20%，TFT正胶国产化率约20%，彩色和黑色光刻胶国产化率约10%[23][32] 主要企业布局 - 半导体光刻胶：北京科华、瑞红苏州实现G/I线胶量产，KrF胶部分产品通过验证[28][29] - 显示光刻胶：北旭电子、欣奕华、鼎材科技等在TFT正胶、彩色和黑色光刻胶实现量产[32][34] - PCB光刻胶：容大感光、广信材料、飞凯材料等在湿膜光刻胶和阻焊油墨实现大批量供应[36] - 原材料：威迈芯材成为KrF/ArF用光致产酸剂唯一量产企业，圣泉集团、强力新材等在树脂领域有所布局[21][38] 产业发展问题 - 光刻胶产业化技术差距大，与国际先进水平差距在4代以上[46] - 原材料和设备依赖进口，关键原料如单体、树脂和感光组分主要从日本进口[47] - 产品验证费用高、周期长，半导体光刻胶验证周期通常2-3年[49] - 专业人才团队缺乏，缺乏复合型人才和领军人才[50]

杭州翰亚微电子科技有限公司项目进展 - 公司高档光刻胶新材料项目（一期）已进入验收公示阶段 投资额达10150万元 建设年产3吨产能 其中2.62吨先行验收包括KrF光刻胶2.5吨/年和ArF光刻胶0.5吨/年 [1][2] - 项目计划于2024年12月竣工 2025年1月启动调试 实际验收时间早于原定产能目标 [2] - 公司成立于2023年6月 注册资金625万元 已完成A轮融资 定位为国内首个具备商业量产能力的高端深紫外光刻胶树脂材料生产商 覆盖KrF(248nm)/ArF(193nm)及下一代EUV(13nm)光刻胶树脂 [3] 光刻胶行业现状 - 光刻胶组成包含光引发剂、树脂、单体、溶剂等 通过光化学反应实现微细图形转移 按曝光波长分为g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)和EUV(13.5nm) [4] - 当前EUV光刻胶完全依赖进口 KrF/ArF光刻胶虽有多家国内企业实现量产(南大光电、晶瑞电材等) 但市场份额仍极低 [4] 高分子材料行业活动 - 2025年将举办高分子产业年会 涵盖政策发展、市场分析、投融资等主题 同期举行"新塑奖"评选颁奖 [6][9] - 设置七大专题论坛 包括AI消费电子、工程塑料、新能源材料、电磁复合材料、航空航天材料等 涉及特种聚烯烃、聚合物电解质、车用电磁功能材料等技术方向 [7][8] - 配套特色活动包含CEO战略研讨会、科技成果路演、国际合作对接等 展览展示区将呈现企业新品及科研成果 [8]

光刻胶市场总体情况 - 2022年世界光刻胶市场规模同比下降约2%，预计2022~2027年整体增速约为5% [4] - 半导体光刻胶2022年消费额238亿元，同比增长8%，未来5年增速预计5% [5] - 显示面板光刻胶2022年消费额126亿元，同比降低19%，未来5年增速预计6% [6] - PCB光刻胶2022年消费额163亿元，同比增长2%，未来5年增速预计4% [8] - 中国光刻胶市场未来5年需求年均增长7%，半导体领域增速预计10% [9][10] 半导体光刻胶细分市场 - 中国半导体12英寸晶圆产能2022年137万片/月，同比增长32%，预计2026年达240万片/月 [10] - G线/I线光刻胶国产化率超过60%，KrF胶国产化率不足5%，ArF胶国产化率不足2% [15][22][23] - 中国能量产最先进半导体光刻胶为KrF胶，ArF胶处于研发测试阶段，EUV胶在实验室研究阶段 [15] - 全球半导体光刻胶市场95%份额被JSR、信越化学、东京应化等6家企业占据 [19][20] 显示光刻胶发展现状 - 中国显示光刻胶国产化率约20%，TFT正胶80%依赖进口 [14][26] - 国内TFT正胶主要供应商为北旭电子、飞凯材料等，彩色胶由欣奕华、鼎材科技量产 [26][27] - 黑色光刻胶江苏博砚已实现京东方等面板厂商量产供应 [28] - 全球显示光刻胶市场被默克、JSR、东京应化等企业主导 [26] PCB光刻胶产业格局 - 中国湿膜光刻胶和阻焊油墨国产化率约55%，干膜光刻胶国产化率仅10% [14][29][30] - 国内主要PCB光刻胶企业包括容大感光、广信材料、飞凯材料等 [14][29] - 全球干膜光刻胶80%份额被台湾长兴化学、旭化成、日立化成占据 [29] - 五江高科干膜光刻胶年产能4.5亿m²，福斯特2022年销量达1.10亿m² [30] 原材料与辅助材料 - 光刻胶关键原材料如树脂、单体、感光组分等基本依赖进口 [16][31] - 威迈芯材成为中国KrF/ArF用光致产酸剂唯一量产企业 [16] - 抗反射涂层、增粘剂等辅助材料国产化率极低 [32] - 溶剂主要生产企业包括怡达股份、天音化工等 [31] 产能建设与项目进展 - 中国在建拟建光刻胶项目20多个，包括彤程电子1.1万吨半导体/显示光刻胶项目 [33][34] - 容大感光珠海项目规划年产3万吨光刻胶及配套化学品 [34] - 徐州博康、鼎龙潜江等企业布局KrF/ArF光刻胶产业化 [34] - 鼎材科技合肥项目规划TFT正胶1500吨/年产能 [34]

光刻胶技术壁垒 - 光刻胶由光引发剂、树脂、单体、溶剂等组成，配方需精确配比且不同类型要求各异，如EUV光刻胶需在13.5纳米波长下工作，要求极高光敏感度和分辨率[4][6] - 纯度要求达ppb甚至ppt级别，例如ArF光刻胶金属离子含量须低于1ppb，否则影响芯片电学性能[7][8] - 生产设备依赖进口，需高洁净环境与精密控制，如特殊反应釜和混合设备，国内获取难度大[9] 原材料供应瓶颈 - 树脂占光刻胶重量10%-40%，高端KrF/ArF/EUV光刻胶树脂主要依赖进口，如ArF树脂需在193纳米波长下具备光学透明性[11][12] - 光引发剂由巴斯夫等国际巨头垄断，EUV级别产品合成难度极高[14] - 溶剂纯度需达99.99%以上，国内企业需提升质量控制水平[15] 市场竞争格局 - 全球CR5企业（信越化学、JSR等）市占率超85%，JSR为ArF光刻胶全球第一且唯一量产EUV光刻胶厂商[16] - 客户认证周期长达2-3年，需通过多阶段测试，形成稳定合作后新进入者难突破[18] - 2024年全球市场规模47.4亿美元（约343亿元），预计2025年增长7%至50.6亿美元（约366亿元）[27] 国内产业现状 - 2023年中国市场规模121亿元占全球15%，但高端产品自给率极低：ArF光刻胶基本依赖进口，EUV处于早期研发[28] - 科华实现KrF量产，南大光电ArF胶获小批量订单，新阳计划2025年销售ArF产品[30][31] - 政策支持如"02专项"推动南大光电建成国内首条EUV胶中试线，预计2026年完成客户导入[21][33] 技术研发挑战 - 研发投入高昂，如EUV项目需数亿元资金用于设备采购和配方探索[21] - 验证流程复杂，需与光刻机厂商及芯片制造商合作测试，涉及曝光参数、生产线试产等环节[22] - 性能指标严苛，包括分辨率、对比度、粘度等7项核心参数，如电子束光刻胶需耐受离子轰击[23] 投资与替代机遇 - 国产替代空间大：g线/i线自给率约10%，KrF不足5%，政策扶持加速技术突破[28][33] - 2024-2029年中国市场CAGR约10%，预计2029年规模突破200亿元[28] - 科华、南大光电等企业通过产学研合作实现技术突破，如南大与北大联合研发EUV光刻胶[35][36]

光刻材料市场增长预测 - 2025年光刻材料收入预计增长7%达到50 6亿美元 主要由先进光刻胶需求驱动 特别是EUV光刻胶预计同比增长30% [1] - 2024年光刻材料收入温和增长1 6%达到47 4亿美元 其中光刻胶增长1% EUV光刻胶同比增长20% 辅助材料和扩展材料分别增长2% [1] - 先进节点工艺发展推动光刻胶需求稳步增长 EUV光刻胶表现突出 同时KrF和ArF等传统光刻胶在3D NAND中应用增加促进市场表现 [1] 长期市场趋势与技术发展 - 预计到2029年光刻材料市场将以6%的复合年增长率增长 [2] - 供应链本地化趋势将影响市场发展 美国 韩国 中国台湾和大陆都将建设新设施 [2] - 干法光刻胶沉积和纳米压印光刻等创新技术对满足先进节点需求至关重要 行业正在应对逐步淘汰PFAS相关化学品的挑战 已有大型公司开发出性能良好的非PFAS KrF光刻胶 [2] 地缘政治与供应链影响 - 地缘政治紧张局势 特别是对先进材料的限制以及中国在先进光刻技术方面的发展 将对材料供应产生影响 [2]

光刻胶行业概述 - 光刻胶是半导体晶圆加工中电路布图的关键材料，根据应用可分为紫外全谱、g/i线、KrF、ArF、EUV等类型 [2] - 全球市场被JSR、东京应化、杜邦等国际巨头垄断，高端KrF和ArF领域集中度更高 [2] - 2024年全球半导体市场销售额达6276亿美元，同比增长19.1%，AI、HPC、汽车电子等需求为主要驱动力 [4] 光刻胶技术发展 - G/I线基于酚醛树脂体系，KrF提升248nm透光性，ArF采用无苯环化学放大机理，EUV利用金属氧化物增强性能 [4] - 工艺分辨率提升推动集成电路制程先进化，EUV增速达21.26%，显著高于其他类型 [4][5] 市场数据与增长 - 2024年全球光刻胶市场同比增长16.15%，其中EUV增速最高（21.26%），KrF（17.89%）和ArF（16.74%）次之 [5] - 中国大陆市场规模7.71亿美元，同比上涨42.25%，ArF增速达45.84%，成为全球最大光刻胶市场 [5] 中国企业产能布局 - 15家主要企业设计产能盘点：彤程新材（1600吨/年）、晶瑞电材（2800吨/年）、飞凯材料（5000吨/年）等 [5] - 高端光刻胶产能分布：南大光电（ArF 25吨/年）、鼎龙股份（KrF/ArF 530吨/年）、国科天骥（超高精细17吨/年） [5] 行业活动与平台 - 2025势银光刻材料产业大会将于7月8-10日在合肥举办，聚焦供应链协同与技术创新 [6][7] - 势银提供产业研究、数据服务及咨询，覆盖光刻材料等领域 [10][11]

文章核心观点 全球半导体先进制造迈向2nm竞速阶段，EUV光刻胶是核心且难取代环节，美国拟增征日系高阶材料进口关税为供应链带来变数和重构契机，行业需关注供应链重整、成本转嫁和角色升级等关键因素以掌握先进制造全球化核心动能 [2][7] 政策影响 - 美国若对日系EUV与ArF光刻胶课征10 - 25%关税，进口价格将上涨10 - 24%，课税25%时2025年EUV光刻胶最终成本将增加近400美元 [3] - 即使关税使成本攀升，先进晶圆制造商仍依赖日系供应商，若关税政策常态化或延伸，将牵动全球特化材料供应链布局与贸易结构 [3] 市场增长 - 全球光刻胶市场进入结构性增长阶段，2025年市场产值接近65 - 70亿美元，占全球半导体材料约8 - 10% [4] - EUV光刻胶年复合增长率高达35%，远超其他成熟产品的4 - 5%，美国光刻胶市场年均增长率达6% [4] - 至2027年美国2nm制程产能占全球比重预期提高到21%，美国光阻消费将成战略重点市场，或推动原材料产能发展和光阻消费在地化 [4] 市场格局 - EUV光阻市场长期被JSR、东京应化、信越化学三大日厂垄断，市占率超九成，美系大厂在EUV领域难抗衡 [5] 台厂机会 - 若台厂掌握物资储备与客户验证节奏，有机会从代理升级为供应角色 [6] - 崇越代理信越化学光阻产品占比四成，有望优先支援；新应材布局KrF光刻市场，预计2026年出货；家登为全球EUV光罩盒龙头；帆宣、意德士、永光等受惠供应链趋势 [6]

中国EUV光刻技术突破 - 中国科学院上海光学精密机械研究所林楠团队在EUV光源领域取得重大突破，开发出基于固体激光器技术的LPP-EUV光源，能量转换效率达到3.42%，超越国际顶尖水平[2] - 该技术打破西方在EUV核心技术上的垄断，标志着中国半导体产业正式进入7纳米以下先进制程领域[2] - EUV光刻技术是制造高端芯片的关键，能够将芯片电路图案缩小到纳米级别，提升性能并降低功耗[4] EUV技术现状 - EUV技术长期被国外企业垄断，荷兰ASML是全球唯一能生产商用EUV光刻机的企业[4] - 自2019年美国实施出口管制后，ASML被禁止向中国出售先进EUV光刻设备，严重制约中国高端芯片自主生产[4] - ASML采用激光轰击液态锡靶技术，使用20千瓦级二氧化碳激光器，但效率仅为0.02%[6] - ASML的光学系统使用蔡司制造的多层镀膜反射镜，表面粗糙度控制在0.1纳米以内，反射率达70%[6] 林楠团队技术路线 - 采用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源，实现3.42%的能量转换效率[8] - 固体激光器具有体积小、电光转换效率高（~20%）的优势，未来商业化后有望降低制造成本[11] - 通过优化激光峰值功率密度、改进激光脉冲控制算法和靶材材料实现关键技术突破[12] - 自主研发的LPP系统通过双脉冲打靶技术将锡液滴控制精度提升至纳米级[12] 技术对比与潜力 - 固体激光器理论最大效率接近6%，为进一步优化留足空间[11] - 固体脉冲激光器已实现千瓦级功率输出，未来有望达到万瓦级[12] - 与清华大学SSMB-EUV光源方案协同，形成多技术路径并行的研发格局[12] 产业链影响 - 短期提振中国半导体产业信心，有望摆脱对国外设备的依赖[18] - 长期将带动半导体产业链协同发展，从上游材料到下游应用市场[18] - 吸引更多优秀人才投身半导体产业，形成良好的人才培养和创新生态[18] 技术挑战与进展 - 构建完整EUV生态系统仍是巨大挑战，中国在EUV光学元件、光刻胶、对准系统等关键领域仍依赖进口[19] - 上海光机所的离子束抛光技术已实现反射镜表面粗糙度低于0.1nm[20] - 中国电子科技集团研发的纳米级同步定位技术可将同步误差控制在0.5nm以内[22] - 国产EUV光刻胶国产化率不足1%，日本垄断全球99%的市场[21] 科研背景 - 林楠研究员师从诺贝尔物理学奖得主，曾在ASML担任研发科学家和光源技术负责人[14] - 已申请/授权美、日、韩等国国际专利110余项，多项专利成功实现产品转化[14] - 2021年放弃国外优厚待遇全职归国，组建先进光刻研究小组[14]

EUV光刻技术挑战 - 高数值孔径EUV光刻中平衡分辨率、灵敏度和线宽粗糙度(RLS三角)的权衡日益困难[1] - 光刻胶与EUV光子相互作用复杂，光掩模到晶圆的图案化步骤是最不可预测的环节[1] - 模拟可预测照明和光掩模组合的区域图像，但光刻胶的多成分特性使实际图案化更复杂[1] 化学放大光刻胶(CAR) - CAR光刻胶改善RLS任一参数通常需牺牲其他两个参数[3] - 光刻胶聚合物尺寸和光酸扩散距离决定最终分辨率，灵敏度影响系统吞吐量和成本[3] - 曝光剂量减少1毫焦耳/cm²可为每台扫描仪年节省100万美元[3] - 杜邦研究发现高电子亲和力PAG分子虽未提升灵敏度，但改善了特征粗糙度和对比度[4] - 薄光刻胶层对高NA曝光至关重要，但会降低光子吸收率和有效灵敏度[5] 金属氧化物光刻胶(MOR) - 金属氧化物光刻胶比聚合物抗蚀剂更坚固，具有优异蚀刻选择性[8] - Inpria正在开发正性光刻胶的反极性配体以克服负性材料限制[8] - 锡氧笼和氧化锆基光刻胶研究显示局部环境比-CH基团总数更重要[9] - 适当底层可将MOR必要曝光剂量减少约20%[10] - imec与Brewer Science合作通过旋涂底漆层与SiON硬掩模组合取得良好效果[10] 新兴光刻胶技术 - Lam Research干法抗蚀剂工艺允许实时调整化学成分，优化底层和显影过程[11] - Irresistible Materials多触发光刻胶利用光酸去除配体促进交联，抑制暗区反应[13] - 杜邦开发光酸解开主链技术，可选择单体优化显影剂溶解度[14] 行业现状 - 光刻胶行业充满创新活力但尚未出现明显技术赢家[14] - High NA EUV曝光带来巨大图案化挑战，多种解决方案处于探索阶段[14]