全栅极RibbonFET晶体管

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1.8nm,重磅宣布
半导体行业观察· 2025-03-15 11:46
文章核心观点 英特尔在亚利桑那州晶圆厂运行首批A(1.8纳米级)晶圆是重要里程碑,该制造工艺有望提高性能、降低功耗,公司将用其为即将推出的处理器批量生产计算芯片 [1][2] 分组1:英特尔A晶圆厂进展 - 英特尔首批A(1.8纳米级)晶圆在亚利桑那州晶圆厂运行,Fab 52和Fab 62是高产量生产设施,在此运行A晶圆厂是重要里程碑 [1] - 英特尔此前在俄勒冈州工厂使用A生产技术加工晶圆并开发新制造工艺,将其移植到亚利桑那州全新工厂是里程碑 [1] - 公司正在运行测试晶圆确保制造工艺转移成功,最终该晶圆厂将运行用于商业产品的实际芯片 [2] 分组2:英特尔A制造工艺应用 - 英特尔将于今年晚些时候采用A技术为代号为Panther Lake的处理器批量生产计算芯片 [2] - 英特尔的A生产节点将用于为数据中心制造代号为Clearwater Forest的英特尔Xeon 7处理器 [2] 分组3:英特尔A制造工艺优势 - A制造技术依赖全栅极RibbonFET晶体管,有望提高性能并降低功耗 [2] - A制造工艺具有背面供电功能,可确保向耗电处理器稳定供电,通过分离芯片内信号和电源线增加晶体管密度 [2]