全环绕栅极晶体管技术和背面供电技术
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英特尔:18A工艺已大规模量产,晶体管密度提升30%
新浪科技· 2025-11-19 09:41
责任编辑:江钰涵 英特尔方面表示,该技术是英特尔下三代技术的基石,公司正基于该技术快速推进下面几代产品的研 发。(文猛) 新浪科技讯 11月19日上午消息,今日举办的2025英特尔技术创新与产业生态大会上,英特尔方面宣 布,公司18A工艺已在亚利桑那州的Fab 52工厂进入大规模量产。 据悉,该工艺采用全环绕栅极晶体管技术和背面供电技术,实现了能效与密度的双重进步。和上一代制 程工艺相比,18A工艺在相同能耗下性能提升15%,晶体管密度提升30%。 ...