长江存储对美国国防部及商务部提起诉讼 - 公司于当地时间12月8日向美国华盛顿特区联邦法院提起诉讼，要求暂停并撤销美国国防部将其列入“与中国军方有关联的实体”名单的认定 [1] - 公司指控美国国防部的认定依据“过时且不准确的信息”，并声明其产品均为商用级，与中国军方及国防领域无任何关联 [1] - 公司同日另案起诉美国商务部，质疑2022年被列入限制获取美国技术清单的决定 [1] - 公司称相关制裁已导致其遭受“重大经济和声誉损失”，并失去与美国合作伙伴的业务往来 [1] 公司市场地位与产能扩张计划 - 公司成立于2016年7月26日，专注于3D NAND闪存及存储器解决方案 [2] - 2025年第一季度，公司在全球NAND闪存市场营收份额为8.1%，排名第六 [2] - 2025年第三季度，其全球NAND出货量份额升至13% [2] - 公司于2025年9月注册成立长存三期（武汉）集成电路有限责任公司，注册资本207.2亿元，计划到2026年底将全球NAND销量份额提升至15% [2] - Omdia预测，公司2025年的资本支出在全球NAND闪存市场投资中占比约20% [2] 核心技术进展与产品规划 - 公司自主研发了“X-Tacking”（晶栈）技术，通过在两片独立晶圆上分别加工外围电路和存储单元，再键合实现突破 [3] - 该技术已实现232层以上堆叠3D NAND Flash量产，2025年推出采用晶栈Xtacking 4.0架构的新品，读取速度达7000MB/s [3] - 三星电子、SK海力士等企业曾利用其专利堆叠技术开发400层NAND闪存 [3] - 公司计划基于该技术开发高带宽内存（HBM） [3] 面临的设备进口限制与国产化进展 - 美国曾禁止向中国出口用于制造128层及以上NAND闪存的美国受控设备（需申请许可证，非绝对禁止） [5] - 截至2025年中，公司整体产能设备国产化率达45%，但核心高端设备仍依赖进口 [5] 其他中国科技企业的类似诉讼案例 - 此前，中微半导体、禾赛科技与大疆创新均曾就类似清单问题向美国法院提起诉讼 [7] - 中微半导体起诉美国防部后成功被移出清单，但这是美国国防部依据评估作出的行政决定，并非法院裁定相关制度违法 [7] - 禾赛科技与大疆创新的诉讼在今年一审均告败诉，法院认为美国防部的认定具备充分依据或裁量权合法有效 [8] - 截至目前，禾赛科技与大疆创新均已针对一审结果提起上诉 [8]