三星与台积电在HBM制造阶段展开合作 - 三星电子将采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制高带宽内存NVHBM生产基础芯片，这将是三星首次与台积电在HBM制造阶段展开合作 [1] - 英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基础芯片，并采用第六代DRAM技术制造核心芯片 [1] - 三星在内部审查后接受了英伟达要求，但计划保留内部生产模式，用于生产标准HBM和为其他客户定制的产品 [1] 英伟达NVHBM产品特性与标准化目标 - 英伟达8月发布的NVHBM将英伟达定制内存控制器集成到基础芯片中，旨在实现多个内存供应商之间的标准化实施 [2] - 英伟达自主研发的NVHBM可提供比标准HBM4E高出30%的内存带宽，同时功耗降低15% [5] - 英伟达希望基础芯片仅采用台积电3nm工艺，从而无需单独验证各厂商样品，节省时间和资源，核心芯片则统一使用1c工艺即第六代DRAM工艺 [5] 行业HBM生产模式对比 - 三星在开发HBM核心芯片和基片时通常采用交钥匙模式，即HBM从设计到封装均由单一供应商闭环完成，无需客户分别协调存储厂、逻辑代工和封装厂 [3] - SK海力士选择专业分工模式，将HBM4的基片交给台积电代工 [3] - 三星与台积电将联合开发3纳米制程基片，最终目标是生产标准化产品，从而减少NVHBM的质量验证步骤 [4] 三星业务策略与产能布局 - 由于NVHBM带来的巨大需求，三星并不介意与台积电临时合作 [5] - 三星同时兼顾标准HBM和其他客户的定制芯片业务，并在探索作为NVHBM基片产能备份的可能性 [5]