当前韩国半导体产业的处境，可以说是"一边是海水，一边是火焰。" 在美国对韩国落下关税大棒后，特朗普或许根本没想到，韩国8月半导体出口会增加。 韩国科学技术信息通信部不久前发布了一组让业内振奋的数据：8月份，韩国的信息通信技术出口额达到了 228.7亿美元，同比增长11.1%，创下了历年8月份的最高纪录。 韩国半导体出口额在8月份激增27.0%，达到了151.1亿美元，一举刷新了月度出口的历史最高纪录。 存储器半导体的固定价格上涨，以及全球范围内对人工智能服务器等基础设施的投资热潮，共同推动了强劲 的市场需求。 单从数据上看，韩国芯片产业正处在一个高光时刻。 但尽管韩国半导体行业一片欣欣向荣景象，可美国的威胁并没有消失。特朗普挥起了关税大棒，目标直指韩 国的命脉产业。 特朗普此前对记者明确表示："我们将宣布针对药品、芯片和其他一些大项目的。" 美国商务部长霍华德·卢特尼克随后也确认，华盛顿将在7月底前完成对半导体和药品进口的持续调查。 特朗普和卢特尼克的这番表态，让韩国芯片行业的神经瞬间紧绷。 这次美国考虑动用的工具，是其《贸易扩展法》的第232条款。这个条款非同小可，它允许总统以"国家安 全"为由，对威胁到国 ...

半导体行业正经历快速转型，其发展受人工智能进步、地缘政治变化以及各国政府对本土生产投资增加的影响。随着人工智能应用加速，对高 性能芯片的需求激增，而供应链动态正因不断演变的贸易政策和国家安全担忧而重塑。与此同时，半导体在汽车、医疗保健和能源等行业变得 不可或缺，这推动了对持续创新和战略调整的需求。供应链韧性和技术主权现在已成为企业和政府的首要任务。各方正在努力实现生产多元化 并减少依赖，但结构性挑战依然存在。出口管制、关键材料限制以及不断变化的贸易联盟正在重新定义半导体行业格局，要求企业在保持竞争 优势的同时应对日益增加的复杂性。 需求分析： 半导体为创新和日常生活提供动力 为何需求至关重要? 在当今世界，半导体不可或缺。由于技术的快速进步和各行业需求的增长，半导体市场需求呈现强劲且不断演变的态势。当需求超过供给时，分析这些动 态可以揭示把握新兴机遇的多种途径。 | End-market | Automotive Devices | Server and Network | Home Appliances | Computing | Industrial | | --- | --- | --- | --- | ...

行业核心观点 - 半导体行业正经历由人工智能进步、地缘政治变化和各国政府本土化投资推动的快速转型 [1] - 全球半导体市场预计从2024年的6270亿美元增长至2030年的1.03万亿美元，复合增长率显著 [4] - 供应链动态因贸易政策、国家安全担忧和出口管制而重塑，技术主权和供应链韧性成为核心优先事项 [1] 需求分析 汽车领域 - 电气化、自动驾驶和软件定义汽车（SDV）推动汽车半导体需求激增，电动汽车预计2030年占汽车销量50% [7][8] - 功率半导体在电动汽车中占比超50%，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）需求因高压环境而增长 [11][13] - 自动驾驶级别提升（L2级普及，L3级超10%）推动传感器、连接芯片和高性能计算芯片需求增长 [15][17] - 软件定义汽车采用区域架构，减少ECU数量但增加高性能SoC、AI加速器和高速存储芯片需求 [20] 服务器与网络 - 生成式AI推动数据量指数级增长，2030年服务器市场超3000亿美元，AI加速器需求占比达50% [27][35] - 数据中心功耗预计2030年翻倍，云服务提供商自研ASIC以降低运营成本 [32][34] - 5G/6G网络和Wi-Fi 7升级推动网络设备需求，但电信设备半导体增长温和 [39][45] - 氮化镓射频芯片在基站领域占比超50%，预计2030年达90% [48] 家用电器 - 人工智能和物联网推动家电智能化，AI处理器和电源管理集成电路（PMIC）需求增长 [56][61] - Matter标准促进设备互联，多协议连接集成电路需求上升 [63] - 可穿戴设备采用多种传感器（如运动、健康监测），推动专用SoC和处理器发展 [68] 计算设备 - AI PC和AI智能手机推动神经网络处理器（NPU）采用，边缘AI需求增长 [78][83] - 低功耗LPDDR DRAM通过代际升级降低功耗（LPDDR6较LPDDR5降耗50%），支持高性能移动计算 [85] - 图像信号处理器（ISP）因多摄像头模块和高分辨率传感器需求而升级 [89] 工业领域 - 医疗机器人手术占比从2010年2.1%升至2020年20%，推动MEMS传感器和GPU需求 [99] - 可再生能源装机容量从2016年900吉瓦增至2023年2000吉瓦，2030年预计达5500吉瓦，碳化硅功率半导体需求增长 [105][106] - 智能制造推动传感器、MCU和连接集成电路需求，工厂自动化向更高级别发展 [111][112] - 全球国防预算从2015–2022年平均2万亿美元增至2030年3–4万亿美元，推动高可靠性半导体需求 [116] 供应分析 设计与制造 - 半导体设计成本因先进节点复杂性上升而激增，行业需超30万名工程师（现仅20万名） [128] - 专用芯片（ASIC/ASSP）需求增长，以弥补通用芯片在性能、能效和可靠性上的不足 [129] - 逻辑芯片产能向更小节点转移，7nm以下节点受益于AI和HPC需求，22–28nm节点可能供过于求 [161] - 2024–2030年全球晶圆厂支出超1.5万亿美元，相当于过去二十年总和 [153] 技术与材料创新 - 晶体管架构从FinFET转向全环绕栅极（GAA），CFET和Forksheet有望2030年代初商业化 [171] - 碳化硅和氮化镓宽禁带半导体因高效能需求增长，但供应受限于晶圆生产和外延工艺 [190][191] - 高带宽存储器（HBM）因AI训练和推理需求成为关键组件，供应链瓶颈可能持续存在 [178][181] 区域战略与产能分布 - 美国通过《芯片法案》补贴先进逻辑制造，中国聚焦成熟节点和DAO半导体自给自足 [153][168] - 韩国保持存储器领导地位，投资DRAM和HBM；日本重振半导体产业，专注汽车和功率器件 [168][176] - 封装技术成为性能提升关键，先进封装推动异构集成和Chiplet架构发展 [192]

公司技术产品应用 - 光集成传感3D叠Die封装产品目前主要应用于智能手机、智能穿戴、无人机、机器人、AR/VR等产品 [1] - 该产品与高带宽内存（HBM）中的3D堆叠技术同源 [1] - 公司技术可与HBM实现协同效应并拓展应用场景 [1]

周五公布的行业调查结果显示，SK海力士第二季度在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场上保持 了领先地位，与竞争对手三星电子的差距进一步拉大。 根据全球市场研究公司Omdia的数据，由于DRAM合同价格上涨和高带宽内存（HBM）出货量增长，4 月至6月期间全球DRAM销售额总计309亿美元，环比增长17.3%。 SK海力士的市占率从第一季度的36.9%上升到39.5%，连续两个季度保持第一的位置。 三星电子的市占率从34.4%下降到33.3%。两家公司的差距从第一季度的2.5个百分点扩大到6.2个百分 点。 另一家市场调查机构TrendForce的数据也显示，SK海力士的全球DRAM市占率从第一季度的36%上升到 第二季度的38.7%，排名第一。 SK海力士凭借在HBM市场的领先地位，有望在年度排名中占据首位。 该公司早些时候表示，2025年的HBM供应已经售罄。 责任编辑：栎树 SK海力士第二季度的DRAM销售额为122亿美元，三星电子以103亿美元紧随其后。 今年第一季度，SK海力士在全球DRAM市场的份额首次超越三星，后者自1992年以来一直位居第一。 ...

【CNMO科技消息】据CNMO了解，SK海力士宣布将向员工发放总额约3万亿韩元（约合人民币154亿 元）的奖金，人均奖金预计超过1亿韩元（约合51.4万元人民币），较今年年初平均7500万韩元的奖金 大幅增长。这一变化源于公司与工会达成的新协议：废除此前奖金上限（基础工资的1000%），并将年 度营业利润的10%全额作为奖金分配。 SK海力士 根据新政策，奖金支付采用"8:1:1"模式：80%当年发放，剩余20%分两年支付（每年10%）。此外，员 工固定薪资将上调6%。受高带宽内存（HBM）需求激增推动，SK海力士今年营业利润预计达37万亿至 39万亿韩元。以公司33625名员工计算，绩效优异者奖金可达1.3亿韩元。 有意思的是，消息公布后，SK海力士员工在公司内部社区狂刷"忠诚！"并调侃"要把崔泰源会长照片挂 家里招财"，甚至发起相框团购。匿名职场平台Blind上，员工纷纷表示"今天开始自愿加班""必须缩短研 发周期，三星快追上来了"。 不过，取消奖金上限的政策也引发了行业连锁反应。三星电子工会已向管理层递交抗议信，指责现有奖 金制度不公，其他企业工会也可能提出类似要求。新奖金标准若在9月4日工会投票通过， ...

芯片互连技术 - 芯片上互连（on-die interconnect）是传统芯片内部信号传输的主要方式 大多数芯片封装仅包含单颗裸片 信号通过裸片焊盘引至封装引脚再焊接到PCB [2] - 先进封装技术推动封装内多元件互连需求 部分信号需在封装内部完成连接 不再全部引出到外部引脚 [2] - 封装内部连接分为键合（bonds）和互连结构两类 键合直接连接裸片或基板 互连结构则作为线缆替代方案 [2] 键合技术分类 - 引线键合（wire bonding）使用细导线连接焊盘 适用于小尺寸裸片 至今仍广泛应用 [6] - C4焊球键合包括凸点（bumps）和柱体（pillars） 适用于大尺寸裸片连接 焊球用于封装-PCB连接 凸点用于裸片-基板连接 微凸点用于裸片堆叠 [6] - 混合键合（hybrid bonding）直接对接焊盘 无需中间材料 支持极窄间距 近年因高密度需求受关注 [6] 引线键合工艺细节 - 超声键合通过超声波和压力清洁焊盘表面 热压键合采用高温替代超声波 热超声键合结合热力与超声波 [11] - 楔形键合采用铝导线 具有方向性要求 需确保受力方向与键合方向一致 [12] - 球形键合使用金线形成焊球 无方向性限制 可堆叠多个焊球提高连接高度 [17][19] C4键合与倒装芯片 - C4键合通过焊球直接连接晶圆焊盘 采用翻转芯片（flip-chip）工艺 焊球经回流焊熔化实现稳固连接 [21][24] - 倒装芯片工艺中 焊球尺寸分层级：外部BGA焊球直径250-800μm 内部裸片-基板凸点50-100μm 3D堆叠微凸点约30μm [24] - 底部填充材料（underfill）用于缓解热膨胀系数不匹配 增强机械稳定性并改善散热 [25] 热压键合与柱状互连 - 热压键合（TCB）逐片施加热力与压力 精度高于回流焊 用于HBM内存堆叠等高端应用 [28] - 柱状互连（pillars）提供高度与直径独立控制 支持不同支撑高度需求 工艺与凸点类似但增加铜柱步骤 [30][34] 先进封装技术 - 晶圆级芯片封装（WLCSP）通过重布线层（RDL）直接连接焊盘与PCB焊球 采用聚酰亚胺等有机介电材料 [35][37] - 混合键合需CMP抛光使铜低于氧化层5nm 经氮等离子体活化增强亲水性 低温退火实现铜扩展键合 [38][39] - 晶圆对晶圆键合受良率限制 集体芯粒键合或单芯粒对准为替代方案 目前应用于闪存和图像传感器 [42][43] 互连尺寸对比 - 引线键合焊盘直径25-50μm 间距50-100μm 混合键合直径0.3μm 间距0.4-1μm 显示技术向微缩化发展 [45] 封装内信号分布结构 - 基板采用叠加工艺构建 类似HDI PCB 含电源层与地层用于噪声屏蔽 通孔类型包括微孔/盲孔/埋孔 [47][50][52] - 中介层（interposer）实现高密度芯粒互连 无源硅中介层采用65/45nm工艺 支持TSV垂直连接 [58][63] - 硅桥（bridges）替代全硅中介层 仅局部嵌入有机基板 英特尔EMIB技术为典型代表 [73][75] 材料选择 - 基板介电材料包括FR-4环氧树脂和BT树脂 ABF膜用于高性能信号传输 具低CTE特性 [51][53] - 玻璃中介层探索TGVs通孔技术 有机中介层采用硅设备制造 成本低于硅中介层 [68][69] - 有源中介层可集成电源管理等电路 但增加FEoL工艺和测试复杂度 尚未量产 [70][72]

公司业务结构 - 公司业务范围远超消费电子领域，涵盖医疗、教育、房地产等多元化业务，形成韩国社会全方位渗透的"平行宇宙"生态 [4] - 电子业务仍是核心支柱，其中DRAM内存贡献半导体部门50%-70%利润 [5][7] - 半导体部门2024Q2运营利润仅4000亿韩元，大幅低于分析师预期的2.73万亿韩元 [1] 市场竞争格局 - 公司在DRAM市场30年霸主地位被SK海力士取代，2024年市场份额首次被超越 [10] - SK海力士凭借HBM技术占据英伟达供应链20%份额，公司仅占1% [9] - 代工业务面临台积电压制，后者占据全球2/3市场份额，公司最新季度仅8% [14] 战略失误与挑战 - 公司未提前布局HBM技术，错失AI浪潮带来的海量内存需求机遇 [8] - 当前HBM产品未通过英伟达测试标准，被排除在供应商名单之外 [13] - 需同时应对内存领域SK海力士和逻辑芯片领域台积电的双线竞争 [14] 转型措施 - 加速研发下一代HBM4技术，已获得行业初步兴趣但商业化仍需时间 [14] - 2024年7月与特斯拉达成165亿美元AI芯片代工协议，提振市场信心 [14] - 芯片部门高层罕见公开道歉并启动全面改革 [12] 宏观经济影响 - 公司贡献韩国约20%出口额，其KOSPI指数权重最大，业务波动直接关联国家经济安全 [4] - 股价自2021年峰值持续下滑，2024年表现显著落后于SK海力士 [1] 行业启示 - 科技行业领先地位具有时效性，需持续押注未来技术方向 [14] - AI驱动的新格局正在重塑半导体行业竞争态势 [8][14]

中国HBM技术突破的背景与意义 - 中国人工智能产业曾长期依赖进口高带宽内存（HBM）技术，2024年底HBM突遭出口管制导致高性能计算项目面临停滞风险 [1] - HBM是AI算力系统的关键组件，负责高速数据供应，其性能直接决定计算效率，被称为“隐形油箱”或“超级油箱” [3][5] - 传统内存技术存在“内存墙”问题，即计算核心性能进步远快于内存数据供应速度，导致计算效率大打折扣 [7][9] HBM技术特点与突破难点 - HBM通过多层内存芯片垂直堆叠和硅通孔（TSV）技术实现高速数据传输，大幅缩短数据传递距离并提供惊人带宽 [9][10] - 技术难点包括精密堆叠十几层芯片、数千个TSV微型通道的精准对齐以及堆叠后的散热防止芯片烧毁 [18][20] - HBM对人工智能大模型而言并非奢侈品而是必需品，直接影响AI系统的运行效率 [10] 技术突破过程与成果 - 2024年12月至2025年8月间，国内存储芯片企业联合封装测试厂、设备制造商和科研院所形成攻关联合体 [16][20] - 基于自主16纳米工艺的国产HBM3样品于2025年夏季研制成功，并送至下游头部企业验证 [22] - 中国成为全球第三个掌握HBM技术的国家，实现从零到一的决定性跨越，尽管在堆叠层数和峰值带宽上与国际最新HBM3E仍有差距 [22][24] 产业影响与战略意义 - 国产HBM为“东数西算”等国家级算力工程提供底层安全保障，减少对进口核心部件的依赖 [25] - 中国市场需求巨大，预计2025年将占全球HBM需求近三分之一，为技术迭代提供重要练兵场 [27] - 技术突破动摇了通过封锁遏制对手的战略根基，证明技术壁垒反而成为创新催化剂 [29]

行业增长态势 - 电子行业成为我国经济增长新动能 半导体行业在AI需求拉动下进入新周期 [1] - 6月全球半导体销售额达599亿美元 同比增长19.6% 环比增长1.5% [1] - 半导体硅片市场逐步复苏 HBM等人工智能数据中心芯片对半导体硅片需求持续强劲 [1] 周期驱动特征 - 本轮半导体上行周期由ToB的AI需求拉动 不同于以往ToC消费电子产品拉动 [1] - AI相关GPU 存储等高端半导体产业链受益更明显 成熟半导体需求相对平淡 [1] - 台积电以先进代工为主营收显著增长 联电以成熟代工为主表现低于行业 [1] 投资标的特性 - 集成电路ETF（159546）跟踪集成电路指数（932087） 选取半导体设计 制造 封装测试及相关材料设备公司 [1] - 指数成分股具有高技术壁垒和成长性特征 行业配置集中于信息技术领域 [1] - 风格偏向成长型 体现中国集成电路产业发展水平与市场表现 [1] 替代投资渠道 - 无股票账户投资者可关注国泰中证全指集成电路ETF发起联接C（020227）和A类份额（020226） [2]