文章核心观点 文章回顾了2025年初对半导体行业十大技术趋势的预测，并评估了截至年末的实际进展 多数技术方向按既定节奏推进，部分领域已实现量产或取得关键突破，为2026年及未来的技术爆发和产业放量奠定了基础 [1][24] 2nm工艺 - 台积电、三星、英特尔均在2025年实现了2nm或等效工艺的量产目标，但“量产”不等于“大规模供货” [2] - 台积电2nm工艺计划于第四季度晚些时候量产，已获苹果、英伟达、AMD、高通、联发科等头部客户订单，需求已超过3nm一代 [3] - 台积电为满足需求正积极扩产，已规划共7座2nm晶圆厂，若新增3座工厂落地，总数将增至10座 [3] - 三星电子已量产首款2nm移动处理器Exynos 2600，良率稳定在50%-60%，但市场对其规模化供货能力持观望态度 [3] - 英特尔18A工艺已在亚利桑那州Fab 52工厂进入大规模量产 [4] - 目前2nm产能极为有限，主要服务高溢价客户，距离消费级产品普及仍有至少一年半载，真正放量预计在2026年 [4] HBM4 - 2025年是HBM4的启动之年 [5] - SK海力士在交付样品6个月后完成了HBM4存储芯片的开发，已进入量产阶段，产品将于第四季度开始出货，并计划于2026年全面扩大销售 [5] - 三星电子与英伟达的HBM4供应价格谈判已进入最后阶段，其产品仍处于最终测试阶段，业内人士预测大规模出货时间可能在2026年 [5] 先进封装 - 先进封装是延续摩尔定律的核心路径，2025年是CoWoS产能释放大年及下一代共封装光学技术布局关键节点 [6] - 台积电CoWoS持续扩产，其群创南科厂（AP8）作为CoWoS-L主要生产基地已于下半年完成全产能运转 [6] - 台积电加速推进共封装光学技术研发，计划于2026年在VisEra建立第一条CoPoS试点生产线，量产将在嘉义AP7工厂进行 [6] - 摩根士丹利报告预测，2026年底台积电的CoWoS月产能将达到至少12万至13万片，高于此前预估的10万片 [6] - 国内封测厂商加速追赶，长电科技车规级芯片封测基地将于下半年通线投产，通富超威项目一期已于2025年1月实现FCBGA封测批量生产，华天科技板级封测项目于年内部分投产 [7] AI处理器 - 英伟达于2025年第三季度进入Blackwell Ultra GB300芯片的规模化量产阶段，新的B300 GPU比B200提供更高的计算吞吐量，多出50%的片上内存 [8] - 英伟达预告下一代芯片“Rubin”预计将于2026年下半年发布，其FP4推理性能可达50 petaflops，是当前Blackwell芯片的两倍以上 [8] - AMD公布了全新的CDNA 4 GPU架构，发布了Instinct MI350系列GPU，并预先披露了2026年即将发布的MI400系列GPU [9] - 英特尔宣布将在2026年CES展会上全球首发酷睿Ultra第3代 “Panther Lake”处理器 [9] - AI处理器格局呈现多元化，以谷歌TPU为代表的ASIC阵营取得突破，在处理特定AI模型时，TPU运算速度可达同代英伟达GPU的1.5-2倍，能耗效率提升约30% [10] 车规芯片 - 2025年是高阶智驾的决赛点与量产上车窗口期 [11] - 地平线高阶智能驾驶方案HSD已拿到国内外10家车企品牌、超20款车型定点，其征程家族芯片量产出货突破1000万套 [11] - 黑芝麻智能武当C1200家族智能汽车跨域计算芯片平台已与一汽红旗、风河等众多客户达成合作 [11] - 芯擎科技发布全场景高阶自动驾驶7nm芯片“星辰一号”，采用7nm车规工艺，NPU算力高达512 TOPS，通过多芯片协同可实现最高2048 TOPS算力 [12] 量子处理器 - 量子处理器在2025年进入实用化探索阶段，但“实用”二字仍言之尚早 [13] - IBM发布了两款实验性量子芯片Loon和Nighthawk [13] - 根据修订版路线图，年初预测的Kookaburra处理器将于2026年推出，2027年将实现模块间连接，2029年计划交付全球首个大规模容错量子计算机IBM Quantum Starling [13][14] 硅光芯片与CPO技术 - 随着AI集群对带宽与功耗要求逼近极限，硅光子集成和共封装光学成为热门选项 [15] - 博通、思科、Ayar Labs联合推动CPO技术，在800G向1.6T过渡中功耗大幅减少，Meta、微软已在部分AI集群中测试CPO交换机 [15] - 台积电已成功将CPO技术与先进半导体封装技术结合，预计从2025年初开始提供样品，博通和英伟达有望成为首批用户 [15] - LightCounting预测，2025年全球800G光模块出货量将突破500万只，其中LPO方案占比有望超过40%，而2023年该数据还不到50万只 [15] - 英伟达已在GB300服务器中选择转向1.6T光模块 [16] - 未来1-2年将进入1.6T速率，预计到2029年AI应用的光模块速率将达到3.2T，2030年3.2T将走向规模应用 [17] RISC-V架构 - 2025年，RISC-V正式切入AI计算核心战场，向端侧AI、智能汽车、数据中心三大高价值领域纵深推进 [18] - 奕斯伟计算、中移芯昇、进迭时空等公司在推动RISC-V与AI融合方面均有落子，英飞凌、Mobileye陆续发布ADAS方案 [18] - 英伟达正积极推进CUDA向RISC-V架构的移植工作，将在生态层面推动RISC-V在高性能计算领域的应用 [18] - RISC-V International预测，到2031年，RISC-V芯片在消费电子、计算机、汽车、数据中心、工业和网络通信六大市场的份额将达26%至39%，总体出货量将超200亿颗 [19] 碳化硅 - 2025年，碳化硅产业正式进入8英寸产能转换阶段，意法半导体、芯联集成、罗姆、Resonac、安森美等公司均有8英寸SiC晶圆厂投产 [20] - 8英寸晶圆生产的芯片数量约为6英寸的1.8倍，能够大幅降低单位综合成本 [20] - 中国公司天岳先进、天科合达、三安光电等均已具备8英寸SiC衬底大规模量产能力 [20] - 天岳先进2024年以8英寸为主的衬底产能达46万片/年，2025年目标总产能提升至60万片/年 [20] - 天科合达2025年衬底总产能规划达50-80万片，8英寸产品已通过主流器件厂商验证并获得多年量产订单 [21] - 三安光电湖南基地8英寸衬底产能达1000片/月，与意法半导体合资的重庆基地规划8英寸衬底产能48万片/年，已于2025年2月通线并交付样品验证 [21] AI与EDA - 2025年，AI开始重构芯片设计范式，而不仅仅是流程“加速器” [22] - 新思科技DSO.ai已广泛应用于2nm以下节点设计，可实现性能、功耗、面积综合提升超10% [22] - 英伟达cuLitho利用GPU集群加速光学邻近校正计算，使掩膜生成过程从数周缩短至数小时，提速达40倍 [23] - Aitomatic发布的开源大模型SemiKong支持自然语言查询设计规则、自动生成Verilog代码片段，已在多家初创公司用于快速原型开发 [23]