中国科学院院士吴德馨的科研生涯与贡献 - 吴德馨先生是中国科学院院士、杰出的微电子科学家，于2026年3月23日在北京逝世，享年90岁 [2] - 她于1961年从清华大学无线电电子工程系毕业，是中国首批半导体专业毕业生之一，随后被分配到中国科学院半导体研究所工作，在此耕耘二十五载 [3] - 她与同为半导体所科研人员的王圩院士结为伉俪，夫妻二人共同为我国半导体事业的发展奉献力量，铸就了科技界一段夫妻院士携手奋进的佳话 [2][5] 早期科研成就与国家战略贡献 - 1962年至1964年，在王守觉先生指导下，吴德馨作为课题负责人承担了国家十二年科学技术发展远景规划中的“平面型高速开关晶体管的研究”，其成果开关速度达到当时国际同类产品水平 [5] - 该技术在中国科学院109厂和上海器件五厂推广，打破了西方国家的封锁，为“两弹一星”配套的“109丙”计算机提供了核心器件，并获全国新产品一等奖 [5] - 上世纪60年代末，她带领团队研制出介质隔离数字集成电路与高阻抗运算放大器模拟电路，为我国早期数字与模拟集成电路的自主研发奠定了基础 [5] 推动中国大规模集成电路与存储器技术发展 - 1978年底，半导体所承担N-MOS 4096位动态随机存储器研制重任，吴德馨在王守武先生指导下，具体负责协同工作，带领团队成功研制出N-MOS 4096位DRAM [11] - 她在国内首次将正性胶光刻、干法刻蚀等先进工艺用于大规模集成电路研制，并独创“露点法”检测接触孔质量，大幅提升了大规模集成电路成品率 [11] - 随后，她与团队接续攻克16K、64K位DRAM技术，推动了我国存储器技术的迭代升级，相关成果于1980年获得中国科学院科技成果一等奖 [11][12] 参与国家微电子科研机构建设与持续支持 - 1986年1月，经国家科委批准，半导体所相关研究部门与109工厂合并成立中国科学院微电子中心，吴德馨先生调任副主任，成为我国微电子科研机构建设与技术攻关的核心带头人 [15] - 调离半导体所后，她始终心系研究所发展，通过项目评审、资源协调、学术合作、人才指导等多种方式给予大力支持 [15] - 她凭借在集成电路工艺、超净线建设与大规模集成电路研发方面的深厚积累，为依托半导体所建设的国家光电子工艺中心提供了权威指导，在评审验收等关键节点发挥了重要作用 [15] 见证并参与中国半导体发展的重要历史时刻 - 1977年，她作为参会代表出席了全国自然科学学科规划会议，会上邓小平同志提出“你们一定要把大规模集成电路搞上去”，随后半导体所掀起了攻克“4K位MOS动态随机存储器”难关的高潮 [7] - 1992年1月7日，她参与了江泽民同志视察半导体所的活动 [19] - 2020年9月4日，她参加了半导体所召开的纪念建所60周年学术研讨会 [21]