光刻技术突破 - 初创公司Lace Lithography AS正在开发一种新型光刻技术，使用原子发射来定义特征，分辨率超越极紫外光刻技术（EUV）的极限 [1] - 该技术称为BEUV，理论上可实现更精细的特征，支持晶体管持续小型化并延伸摩尔定律 [1] - 传统EUV系统使用13.5nm波长的光，而原子光刻技术能够实现直接无掩模图案化，分辨率小于EUV系统的波长限制 [1] - 公司声称该技术为芯片制造商提供领先当前技术15年的功能，且成本更低、能耗更低 [1] 公司背景与研发 - 公司由卑尔根大学首席执行官Bodil Holst教授和首席技术官Adria Salvador Palau于2023年7月共同创立 [1] - 首席技术官在卑尔根大学获得博士学位，目前公司在西班牙巴塞罗那运营 [1] - 公司创始人共同撰写了一篇发表在《物理评论A》上的论文，题为《利用中性氦原子进行真实尺寸表面映射》，详细介绍了立体氦显微镜的实现和操作 [1] 欧盟资助项目 - FabouLACE是由欧盟资助的项目，预算为250万欧元，由欧洲创新委员会提供，项目周期为2023年12月1日至2026年11月30日 [2] - 项目采用亚稳态原子和基于色散力的掩模，可实现2纳米工艺 [2] - Lace光刻技术已获授权在2031年前将该技术推向市场，性能将由IMEC研究机构监测和验证 [2] - NanoLACE是欧洲早期的研究项目，于2019年启动，2024年12月31日结束，已获得336万欧元资助，预算为365万欧元 [2] 融资与支持 - Lace Lithography于2023年7月筹集了约450,000欧元的种子轮融资 [2] - 融资由Runa Capital、Vsquared Ventures、Future Ventures、欧洲创新委员会、挪威创新局和挪威研究委员会提供支持 [2]