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原子光刻技术
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一种新型光刻技术,突破EUV极限
半导体芯闻· 2025-04-28 18:15
公司概况与技术原理 - 公司Lace Lithography AS于2023年7月在挪威卑尔根成立,由卑尔根大学的Bodil Holst教授和首席技术官Adria Salvador Palau共同创立,后者目前在西班牙巴塞罗那运营 [2] - 公司正在开发一种名为BEUV的原子光刻技术,该技术使用向表面发射的原子来定义特征,其分辨率理论上超越了当前极紫外光刻技术的极限 [2] - 该技术能够实现直接无掩模图案化,其分辨率甚至小于受波长限制的传统EUV系统所能达到的水平,传统EUV使用13.5nm波长的光 [2] - 公司声称,通过使用原子代替光,为芯片制造商提供了领先当前技术15年的功能,且成本更低、能耗更低 [2] 技术研发与项目进展 - 公司技术基础源于一篇发表在《物理评论A》上的论文,题为《利用中性氦原子进行真实尺寸表面映射》,由Salvador Palau和Holst教授共同撰写 [2] - 由欧盟资助的FabouLACE项目旨在开发基于色散力掩模的氦原子光刻技术,项目预算为250万欧元,由欧洲创新委员会提供,执行期为2023年12月1日至2026年11月30日 [2] - FabouLACE项目采用亚稳态原子和基于色散力的掩模,目标为实现2纳米工艺 [2] - 欧盟委员会已授权Lace光刻技术在2031年前将该技术推向市场,其性能将由IMEC研究机构进行监测和验证 [2] - 早期的NanoLACE研究项目于2019年启动,于2024年12月31日结束,已获得336万欧元的资助,总预算为365万欧元 [2] 融资情况 - Lace Lithography于2023年7月完成了约45万欧元的种子轮融资 [2] - 投资方包括Runa Capital、Vsquared Ventures、Future Ventures、欧洲创新委员会、挪威创新局和挪威研究委员会 [2] 行业影响与潜力 - 该BEUV光刻技术理论上可以实现更精细的特征,支持晶体管的持续小型化,旨在延伸摩尔定律 [2]
一种新型光刻技术,突破EUV极限
半导体行业观察· 2025-04-23 09:58
光刻技术突破 - 初创公司Lace Lithography AS正在开发一种新型光刻技术,使用原子发射来定义特征,分辨率超越极紫外光刻技术(EUV)的极限 [1] - 该技术称为BEUV,理论上可实现更精细的特征,支持晶体管持续小型化并延伸摩尔定律 [1] - 传统EUV系统使用13.5nm波长的光,而原子光刻技术能够实现直接无掩模图案化,分辨率小于EUV系统的波长限制 [1] - 公司声称该技术为芯片制造商提供领先当前技术15年的功能,且成本更低、能耗更低 [1] 公司背景与研发 - 公司由卑尔根大学首席执行官Bodil Holst教授和首席技术官Adria Salvador Palau于2023年7月共同创立 [1] - 首席技术官在卑尔根大学获得博士学位,目前公司在西班牙巴塞罗那运营 [1] - 公司创始人共同撰写了一篇发表在《物理评论A》上的论文,题为《利用中性氦原子进行真实尺寸表面映射》,详细介绍了立体氦显微镜的实现和操作 [1] 欧盟资助项目 - FabouLACE是由欧盟资助的项目,预算为250万欧元,由欧洲创新委员会提供,项目周期为2023年12月1日至2026年11月30日 [2] - 项目采用亚稳态原子和基于色散力的掩模,可实现2纳米工艺 [2] - Lace光刻技术已获授权在2031年前将该技术推向市场,性能将由IMEC研究机构监测和验证 [2] - NanoLACE是欧洲早期的研究项目,于2019年启动,2024年12月31日结束,已获得336万欧元资助,预算为365万欧元 [2] 融资与支持 - Lace Lithography于2023年7月筹集了约450,000欧元的种子轮融资 [2] - 融资由Runa Capital、Vsquared Ventures、Future Ventures、欧洲创新委员会、挪威创新局和挪威研究委员会提供支持 [2]