中介层技术现状与挑战 - 电气中介层存在信号传输距离限制，插入损耗导致信号质量随距离下降，先进封装走线长度受限[1] - 硅中介层线路特征尺寸更小（0.5µm线宽/线距），有机中介层成本更低但尺寸更大（2µm线宽/线距）[2] - 金属厚度3µm的有机中介层线路横截面积仅6µm²，电阻特性显著，HBM连接线路长度可达7mm但速度受限（HBM4起始速度6.4Gbps）[2][3] 信号完整性解决方案 - 接地层发挥供电/阻抗控制/返回路径三重功能，采用"华夫格栅"结构（金属含量约50%）替代连续平面[7][8] - 射频电路需采用微带线/带状线技术控制阻抗，10GHz信号在15mm线路上需视为传输线[5] - 封装基板可作为替代方案，通过TSV技术降低厚度（ABF基板金属线更粗），但中介层仍保持尺寸优势[10] 光子技术突破 - 光子中介层（如Lightmatter Passage）实现8个光罩尺寸，波导连接点损耗极小，传输距离远超电气方案[11][12] - 光信号无回流问题，CMOS与硅光子集成中介层可消除SerDes线路瓶颈，芯片区域布局更灵活[11][12] - 光子技术尚未大规模量产，短期难以替代电气标准的中短距离传输[14] 技术优化方向 - 无掩模光刻可实现30nm线宽精度，适用于芯片/桥接器对准校正[4] - 硅中介层金属厚度≥2µm可能改善性能，需通过组件布局优化缩短高速信号路径[13] - 信号完整性分析需覆盖全路径组件（焊球/凸块等），接地平面必须纳入仿真模型[13]